西安电子科技大学韩家奇获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于相变材料的太赫兹反射型编码超表面获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211063541.X，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于相变材料的太赫兹反射型编码超表面是由韩家奇;吴厚村;李龙;刘海霞设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于相变材料的太赫兹反射型编码超表面在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及人工电磁材料技术领域，特别涉及一种基于相变材料的太赫兹反射型编码超表面，包括：多个呈阵列分布的超表面单元；每个超表面单元包括金属地层、位于金属地层上方的贴片层以及位于金属地层和贴片层之间的介质基板；介质基板靠近贴片层的一侧设有相变材料层，相变材料层上开设有用于容置贴片层的开槽；贴片层和相变材料层远离介质基板的一侧设有相变材料盖层，且相变材料盖层覆盖贴片层和相变材料层远离介质基板的表面。本申请实施例提供一种基于相变材料的太赫兹反射型编码超表面，对太赫兹波反射幅度和相位进行动态调控，实现编码超表面全极化且幅度‑相位‑联合可调。
本发明授权一种基于相变材料的太赫兹反射型编码超表面在权利要求书中公布了：1.一种基于相变材料的太赫兹反射型编码超表面，其特征在于，包括： 多个呈阵列分布的超表面单元； 每个所述超表面单元包括金属地层、位于所述金属地层上方的贴片层以及位于所述金属地层和所述贴片层之间的介质基板； 所述介质基板靠近所述贴片层的一侧设有相变材料层，所述相变材料层上开设有用于容置所述贴片层的开槽； 所述贴片层和所述相变材料层远离所述介质基板的一侧设有相变材料盖层，且所述相变材料盖层覆盖所述贴片层和所述相变材料层远离所述介质基板的表面； 在垂直于所述相变材料层厚度方向的平面上，所述相变材料层的截面为回字形； 在垂直于所述贴片层厚度方向的平面上，所述贴片层的截面为正方形； 所述介质基板为方形介质基板； 在垂直于所述介质基板厚度方向的平面上，所述介质基板的截面为正方形或矩形； 所述相变材料为氧化钒、氧化锌中的一种。
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