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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种基于UIS的SiC芯片测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115389897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211067058.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于UIS的SiC芯片测试方法是由陈鸿骏;杨程;王毅;赵耀;刘圣前;万胜堂;王正设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于UIS的SiC芯片测试方法在说明书摘要公布了：一种基于UIS的SiC芯片测试方法。涉及一种半导体器件测试方法。包括以下步骤：S100，将待测的碳化硅功率器件进行电性检测，然后从电性检测合格的产品中选取若干只碳化硅功率器件在常温下分别进行UIS极限能力测试，测试出相应的UIS极限能力值，并计算平均UIS极限能力测试值，记作Emax；S200，第一次测试：将UIS极限能力测试的能量设置为Emax的25%‑30%；S300，第二次测试：将UIS测试的能量设置为Emax的20%‑25%，S400，第N‑1次测试：将UIS测试的能量设置为Emax的5%，这一步可以将缺陷密度小于0.1cm‑2，甚至更低的管芯筛选出来；S500，第N次测试：将UIS测试的能量设置为Emax的5%，最后一次复测，确保所有潜在风险的管芯被提前激发出来；更加有效解决了SiC功率器件在可靠性端PPM级失效问题。

本发明授权一种基于UIS的SiC芯片测试方法在权利要求书中公布了：1.一种基于UIS的SiC芯片测试方法，其特征在于，包括以下步骤： S100，将待测的碳化硅功率器件进行电性检测，然后从电性检测合格的产品中选取若干只碳化硅功率器件在常温下分别进行UIS极限能力测试，测试出相应的UIS极限能力值，并计算平均UIS极限能力测试值，记作Emax； S200，第一次测试： 将UIS极限能力测试的能量设置为Emax的25%-30%；通过25%-30%EmaxUIS测试将碳化硅功率器件中外延中尺寸小于10微米TSD缺陷提前激发出，将外延层中TSD缺陷密度大于0.5cm-2的管芯筛选出；然而缺陷密度处于0.1-0.5cm-2范围内的管芯经过这一次测试会受到损伤，使其承受UIS测试的能量降低； 电流大小小于10A的管芯测试电感L大小设定为5mH，电流大小大于10A的管芯测试电感大小设定10mH； S300，第二次测试： 将UIS测试的能量设置为Emax的20%-25%，将步骤S200中缺陷密度处于0.1-0.5cm-2范围内的管芯筛选出来； S400，第N-1次测试： 将UIS测试的能量设置为Emax的5%，这一步可以将缺陷密度小于0.1cm-2，甚至更低的管芯筛选出来； S500，第N次测试： 将UIS测试的能量设置为Emax的5%，最后一次复测，确保所有潜在风险的管芯被提前激发出来。

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