买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211080520.9，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用是由唐振华;方俊霖;张莉;范召缘;梁展恒;刘廷诉;唐新桂;刘秋香设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种MXeneNiO异质结的突触器件、制备方法及其应用，该MXeneNiO异质结的突触器件，包括：基片，所述基片中设置有底部电极，其中，所述基片的上顶面暴露有所述底部电极；覆盖所述基片部分区域的MXeneNiO异质结层，所述MXeneNiO异质结层包括MXene层和NiO层，所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域；位于所述MXeneNiO异质结层顶面的顶部电极。本发明中的突触器件对电脉冲具有极快且敏感的响应，具有超低能耗，可用于构建人工神经网络系统。

本发明授权一种MXene/NiO异质结的突触器件、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种MXeneNiO异质结的突触器件，其特征在于，包括： 基片，所述基片中设置有底部电极，其中，所述基片的上顶面暴露有所述底部电极； 覆盖所述基片部分区域的MXeneNiO异质结层，所述MXeneNiO异质结层包括MXene层和NiO层，所述部分区域为基片对应的区域中除底部电极的其他区域； 位于所述MXeneNiO异质结层顶面的顶部电极； 其中，所述顶部电极的材料为金、银、铜、铝、铟锡氧化物中的一种； 所述基片为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃； MXeneNiO异质结的突触器件的制备方法，其特征在于： 获取基片，所述基片的上顶面暴露有底部电极，所述底部电极设置于所述基片的内部； 在所述基片的上顶面旋涂NiO前驱体溶液，确定NiO凝胶湿膜，其中，NiO前驱体溶液由乙酸镍四水合物溶于有机溶剂中制备而成，所述有机溶剂为冰乙酸、乙二醇甲醚、乙酰丙酮或乙二醇中的至少一种； 对所述NiO凝胶湿膜依次进行预设次数的薄膜处理，得到初始NiO薄膜，所述薄膜处理的处理流程包括烘干、热解、预退火、重复旋涂； 基于所述初始NiO薄膜，在退火温度范围内进行退火处理，生成NiO薄膜； 在所述NiO薄膜的上顶面旋涂MXene前驱体溶液，处理后生成MXene薄膜； 去除部分区域的MXene薄膜和NiO薄膜，以暴露出所述基片上的底部电极，形成MXeneNiO异质结层； 在所述MXeneNiO异质结层上电镀形成顶部电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东工业大学，其通讯地址为：510006 广东省广州市广东工业大学实验4号楼301；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。