武汉纺织大学王栋获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉纺织大学申请的专利耐温度变化的聚合物基压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115585914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211145328.3，技术领域涉及：G01L1/20；该发明授权耐温度变化的聚合物基压力传感器及其制备方法是由王栋;杨丽燕;李沐芳;马俊;刘琪设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本耐温度变化的聚合物基压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种耐温度变化的聚合物基压力传感器及其制备方法，该压力传感器包括聚合物薄膜和纳米导电网络，纳米导电网络作为传感材料复合于聚合物薄膜表面；纳米导电网络由银纳米线和导电纳米颗粒材料复合而成；银纳米线和导电纳米颗粒材料的电阻对温度变化具有不同响应，其电阻变化可以相互抵消，从而使压力传感器整体具有耐温度变化的性能。对聚合物薄膜对进行plasma处理，使其与传感材料间产生氢键作用，结合力增强，有利于力的传输，提高了传感器的灵敏度。本发明的耐温度变化的聚合物基压力传感器灵敏度高、在0～60℃时阻值稳定，且具有较高的导电性；其作为一种耐温度范围宽、稳定性好的柔性压力传感器，具有较好的应用价值。
本发明授权耐温度变化的聚合物基压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐温度变化的聚合物基压力传感器，其特征在于，所述聚合物基压力传感器包括聚合物薄膜和纳米导电网络，所述纳米导电网络复合于所述聚合物薄膜表面，作为所述聚合物基压力传感器的传感材料；所述纳米导电网络由银纳米线和导电纳米颗粒材料复合而成；所述银纳米线与所述导电纳米颗粒材料的质量比为1:（2~10）；所述聚合物薄膜的厚度为20µm~2mm；所述银纳米线的直径为30~80nm，长度为1~50µm；所述导电纳米颗粒材料的粒径为15~50nm。
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