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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利掩膜板的确定方法、装置、存储介质电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115509092B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211147737.7，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权掩膜板的确定方法、装置、存储介质电子设备是由邹芳设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜板的确定方法、装置、存储介质电子设备在说明书摘要公布了：一种掩膜板的确定方法、装置、存储介质及电子设备。所述方法包括：获取待生产产品的原始版图数据；对所述原始版图数据的图形进行识别；基于图形识别结果进行第一逻辑运算，确定所述待生产产品中包含的器件类型，得到器件辅助数据；基于所述器件辅助数据，输出与生产所述待生产产品所需器件相关的掩膜板标识。采用上述方案，可以提高确定半导体产品所需掩膜板的效率，缩短半导体产品的生产周期。

本发明授权掩膜板的确定方法、装置、存储介质电子设备在权利要求书中公布了：1.一种掩膜板的确定方法，其特征在于，包括： 获取待生产产品的原始版图数据； 对所述原始版图数据的图形进行识别； 基于图形识别结果进行第一逻辑运算，确定所述待生产产品中包含的器件类型，得到器件辅助数据； 基于所述器件辅助数据，输出与生产所述待生产产品所需器件相关的掩膜板标识； 基于图形识别结果进行第一逻辑运算，确定所述待生产产品中包含的器件类型，得到器件辅助数据，包括：利用布尔运算方法，对识别出的图形进行第一逻辑运算，确定所述待生产产品中包含的器件类型；将各所述器件类型对应的图形分别输出至不同的预设图层，形成器件辅助数据； 所述器件类型包括：高阈值电压管、正常阈值电压管、低阈值电压管、超高阈值电压管及超低阈值电压管； 所述利用布尔运算方法，对识别出的图形进行第一逻辑运算，确定所述待生产产品中包含的器件类型，包括：识别所述原始版图数据中的栅极区域、高阈值电压区域、低阈值电压区域及超电压区域；将所述栅极区域与高阈值电压区域交集处的区域，作为第一区域，所述第一区域对应的器件类型为高阈值和超高阈值电压管；将所述低阈值电压区域中除超电压区域外的区域，与所述栅极区域交集处的区域，作为第二区域，所述第二区域对应的器件类型为低阈值电压管；将所述低阈值电压区域、超电压区域及栅极区域交集处的区域，作为第三区域，所述第三区域对应的器件类型为超低阈值电压管；将所述栅极区域中除所述第一区域、第二区域及第三区域外的区域，作为第四区域，所述第四区域对应的器件类型为正常阈值电压管。

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