复旦大学王路宇获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利氮化镓功率器件的制作方法、器件以及集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211255255.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权氮化镓功率器件的制作方法、器件以及集成电路是由王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;樊蓉;杨妍楠;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓功率器件的制作方法、器件以及集成电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化镓集成电路的制作方法，该方法包括：提供一衬底；在衬底上沿远离所述衬底的方向依次形成沟道层和势垒层；在势垒层表面沉积硬掩模；刻蚀硬掩模以在硬掩模上形成开孔；在开孔内外延p‑GaN层；在势垒层表面分别沉积金属材料并退火以形成源极和漏极；形成p‑GaN栅极；在p‑GaN栅极的顶端沉积钝化层；形成源极金属互连层与金属场板；源极金属互连层形成于源极的顶端，金属场板形成于p‑GaN栅极的顶端的钝化层的表面；金属场板与源极金属互连层连接；形成漏极金属互连层与栅极金属互连层。本发明提供的技术方案，通过选取外延p‑GaN的方法，有效避免了p‑GaN层的刻蚀工艺导致器件损伤的问题，实现了提升器件输出电流、降低动态导通电阻及提高功率管及栅驱动单元的可靠性的效果。
本发明授权氮化镓功率器件的制作方法、器件以及集成电路在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓功率器件的制作方法，其特征在于，该方法包括： 提供一衬底；在所述衬底上沿远离所述衬底的方向依次形成沟道层和势垒层； 在所述势垒层表面沉积硬掩模； 刻蚀所述硬掩模以在所述硬掩模上形成开孔； 在所述开孔内形成p-GaN层； 在所述p-GaN层的沿第一方向的两侧的所述势垒层表面分别沉积金属材料并退火以形成源极和漏极； 形成p-GaN栅极；所述p-GaN栅极包括所述p-GaN层以及在所述p-GaN层顶端形成的栅金属层； 在所述p-GaN栅极的顶端沉积钝化层； 形成源极金属互连层与金属场板；所述源极金属互连层形成于所述源极的顶端，所述金属场板形成于所述p-GaN栅极的顶端的所述钝化层的表面；所述金属场板与所述源极金属互连层连接； 形成漏极金属互连层与栅极金属互连层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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