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龙图腾网获悉华南理工大学;深圳市纽瑞芯科技有限公司申请的专利一种用于锁相环的电荷泵获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211304890.6，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种用于锁相环的电荷泵是由贺小勇;邓云天;陈振骐;陈润;李斌;吴朝晖设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于锁相环的电荷泵在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于锁相环的电荷泵，涉及新一代信息技术，针对现有技术中电荷泵功耗高的问题提出本方案。本发明技术是通过令平衡电路中传输门的控制信号超前于充放电支路中传输门的控制信号实现。进一步改善电流失配问题，还通过差分输出运算放大器的正相输出端控制充电支路及平衡电路的充电部分；通过所述差分输出运算放大器的反相输出端控制放电支路及平衡电路的放电部分。优点在于，在信号周期大部分时间内整个电路处于关闭状态，节省功耗。还改善了电荷泵的输出电流匹配性能。

本发明授权一种用于锁相环的电荷泵在权利要求书中公布了：1.一种用于锁相环的电荷泵，其特征在于，平衡电路中传输门的控制信号超前于充放电支路中传输门的控制信号； 平衡电路中传输门的控制信号和充放电支路中传输门的控制信号均为脉冲信号； 通过差分输出运算放大器的正相输出端控制充电支路及平衡电路的充电部分；通过所述差分输出运算放大器的反相输出端控制放电支路及平衡电路的放电部分； 包括偏置电路、匹配电路、充电支路、放电支路以及平衡电路； 所述的偏置电路用于分别输出充电偏置电压和放电偏置电压； 所述的匹配电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第一运算放大器、第五NMOS管和第四NMOS管；第四PMOS管源极连接VDD，第四PMOS管栅极连接充电偏置电压，第四PMOS管漏极连接第五PMOS管源极；第五PMOS管栅极连接第一运算放大器正相输出端，第五PMOS管漏极连接第一运算放大器正相输入端及第五NMOS管漏极，第五NMOS管栅极连接第一运算放大器反相输出端，第五NMOS管源极连接第四NMOS管漏极，第四NMOS管栅极连接放电偏置电压，第四NMOS管源极接地； 所述的充电支路包括第一PMOS管、第一传输门和第二PMOS管；第一PMOS管源极连接VDD，第一PMOS管栅极连接充电偏置电压，第一PMOS管漏极串接第一传输门后连接第二PMOS管源极，第二PMOS管栅极连接第一运算放大器正相输出端，第二PMOS管漏极连接第一运算放大器反相输入端，同时第二PMOS管漏接也为电荷泵的输出端； 所述的放电支路包括第一NMOS管、第三传输门和第二NMOS管；第二NMOS管漏极连接第一运算放大器反相输入端，第二NMOS管栅极连接第一运算放大器反相输出端，第二NMOS管漏极串接第三传输门后连接第一NMOS管漏极，第一NMOS管栅极连接放电偏置电压，第一NMOS管源极接地； 所述的平衡电路包括第二传输门、第三PMOS管、第二运算放大器、第三NMOS管和第四传输门；第三PMOS管源极串接第二传输门后连接第一PMOS管漏极，第三PMOS管栅极连接第一运算放大器正相输出端，第三PMOS管漏极连接第二运算放大器输出端，第二运算放大器正相输入端连接第二PMOS管漏极，第二运算放大器反相输入端与第二运算放大器输出端共点后连接第三NMOS管漏极，第三NMOS管栅极连接第一运算放大器反相输出端，第三NMOS管源极串接第四传输门后连接第一NMOS管漏极； 所述第一传输门由充电控制信号及其反相信号控制开关状态，所述第二传输门由充电控制信号的超前信号及超前信号的反相信号控制开关状态，所述第三传输门由放电控制信号及其反相信号控制开关状态，所述第四传输门由放电控制信号的超前信号及超前信号的反相信号控制开关状态。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学;深圳市纽瑞芯科技有限公司，其通讯地址为：510641 广东省广州市天河区五山路381号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。