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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种碳化硅晶片的剥离方法及其剥离装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115609772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211322468.3，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种碳化硅晶片的剥离方法及其剥离装置是由许子业;侯煜;文志东;张喆;张昆鹏;宋琦;石海燕;李曼;张紫辰设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶片的剥离方法及其剥离装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅晶片的剥离方法及其剥离装置，该碳化硅晶片的剥离方法通过采用第一激光光束从碳化硅晶锭的侧面入射并在设定深度层位置处形成一个加热的光路的同时，采用第二激光光束聚焦在第一激光光束形成的光路上，并在光路上爆点扫描，能够利用第一激光光束形成的光路上所具有的逐渐递减的纵向温度梯度，诱导每个爆点处的裂纹在光路内沿着与光路平行的方向生长，便于同一切割道上相邻两个爆点之间的裂纹快速延伸连接到一起，简化同一切割道上相邻爆点裂纹连接到一起的难度。能够适当加宽相同切割道上不同爆点之间的间距，使相同长度的切割道采用较少的爆点即可完成扫描，提高扫描效率，简化第一激光光束的设备复杂性，节省加工成本。

本发明授权一种碳化硅晶片的剥离方法及其剥离装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片的剥离方法，其特征在于，包括： 步骤一：提供待切割的碳化硅晶锭； 步骤二：采用第一激光光束从所述碳化硅晶锭侧面照入，在所述碳化硅晶锭内的设定深度层位置处形成一个加热的光路，以使所述光路上的碳化硅材料在沿所述光路的传播方向，具有逐渐递减的纵向温度梯度； 步骤三：采用第二激光光束从所述碳化硅晶锭端面入射并聚焦在所述设定深度层位置处的光路上，形成爆点，以对所述光路上的碳化硅材料进行改质； 步骤四：控制所述第二激光光束的焦点沿着所述光路的传播方向或传播方向的反方向扫描，以对所述光路其他位置处的碳化硅材料进行爆点改质，形成切割道；且所述纵向温度梯度能够诱导每个爆点处的裂纹，在所述光路内沿着与所述光路平行的方向生长； 其中，所述第一激光光束为贝塞尔光束； 所述光路的横截面上的光强，由所述第一激光光束的中心位置向所述第一激光光束的边缘位置，呈波浪形波动，以在所述光路的横截面上形成温度大小波动的横向温度梯度； 且所述横向温度梯度能够诱导每个爆点处产生的裂纹，在所述光路内沿着与所述光路垂直的方向横向生长。

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