华南理工大学易翔获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211457594.X，技术领域涉及：H01Q1/22；该发明授权一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线是由易翔;王艳军;车文荃;薛泉设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线，包括封装结构、芯片结构；所述封装结构包括芯片结构的载体层、芯片包围层，载体层和芯片包围层之间通过粘结层连接；所述封装结构的粘结层和芯片包围层设有中间槽，所述芯片结构位于中间槽内。所述芯片结构包括自下而上的硅衬底、氧化层和钝化层，在钝化层上刻画芯片天线。所述氧化层包括十层金属层，芯片天线位于第十层金属层中。本发明采用对称的领结形结构，在不增加芯片面积下可使天线在两个频带工作；封装结构简单，成本低。封装保护芯片免受外界环境损坏和干扰，同时充当硅衬底与空气两种不同介质的匹配层，可有效将硅衬底中的电磁波耦合到外界，提升了天线的辐射性能。
本发明授权一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线在权利要求书中公布了：1.一种通过封装技术增强增益的毫米波双频片上天线，其特征在于，包括封装结构（1）、芯片结构（2）；所述封装结构（1）包括芯片结构（2）的载体层（5）、芯片包围层（3），载体层（5）和芯片包围层（3）之间通过粘结层（4）连接；所述封装结构的粘结层（4）和芯片包围层（3）设有中间槽，所述芯片结构（2）位于中间槽内； 所述芯片结构包括自下而上的硅衬底（12）、氧化层（11）和钝化层（10），在钝化层（10）上刻画馈线； 所述氧化层（11）包括十层金属层，芯片天线位于第十层金属层中； 所述芯片天线为十字形结构，十字形结构中间设有开口； 所述芯片天线包括相互对称的长臂和短臂，且长臂和短臂的激励信号等幅同相，芯片天线相邻的一个长臂和短臂通过金属过孔与馈线（8）连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学，其通讯地址为：510640 广东省广州市天河区五山路381号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号