中国科学院微电子研究所贺晓彬获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利电子束套刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116125764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211532592.2，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权电子束套刻方法是由贺晓彬设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子束套刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电子束套刻方法，所述方法包括：在待刻蚀器件上形成电子束标记；在所述电子束标记区域形成保护膜层；采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀；采用去除保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第二次刻蚀。本发明提供的电子束套刻方法，能够采用单个对准标记完成两次刻蚀，减少对准误差，提高半导体器件制备质量。
本发明授权电子束套刻方法在权利要求书中公布了：1.一种电子束套刻方法，其特征在于，所述方法包括： 在待刻蚀器件上形成电子束标记； 在所述电子束标记区域形成保护膜层； 采用带有保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第一次刻蚀； 采用去除保护膜层的所述电子束标记进行对准，对所述待刻蚀器件进行第二次刻蚀。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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