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哈尔滨工业大学程健获国家专利权

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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种熔融石英光学元件加工表面微区微观光伤点缺陷相对浓度检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116026836B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211505089.8,技术领域涉及:G01N21/88;该发明授权一种熔融石英光学元件加工表面微区微观光伤点缺陷相对浓度检测方法是由程健;杨丁槐;陈明君;赵林杰;刘赫男;王景贺;刘志超;王健;许乔设计研发完成,并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种熔融石英光学元件加工表面微区微观光伤点缺陷相对浓度检测方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种熔融石英光学元件加工表面微区微观光伤点缺陷相对浓度检测方法,属于工程光学技术领域。为解决现有技术对熔融石英元件加工表面点缺陷表征手段仅适用于表征及判别点缺陷的种类,尚无有效方法针点缺陷的相对浓度进行检测的问题。本发明通过对熔融石英光学元件加工表面微缺陷区开展光致荧光探测实验,得到缺陷区的点缺陷类型及不同点缺陷对应的子峰曲线峰面积,建立点缺陷所含孤对电子浓度与子峰曲线峰面积之间的关系,计算不同点缺陷所含孤对电子的相对浓度,结合点缺陷化学结构及反应规律计算熔融石英加工表面微缺陷区不同点缺陷的相对浓度。本发明填补了目前尚无法获得材料表面点缺陷相对浓度的技术空白。

本发明授权一种熔融石英光学元件加工表面微区微观光伤点缺陷相对浓度检测方法在权利要求书中公布了:1.一种熔融石英光学元件加工表面微区微观光伤点缺陷相对浓度检测方法,其特征在于包括如下步骤: 步骤一、定位熔融石英光学元件加工表面微缺陷区并对定位的缺陷区开展光致荧光探测实验; 步骤二、对光致荧光探测实验得到的荧光发射光谱进行分峰拟合得到多个子峰曲线,通过子峰曲线确定点缺陷类型; 步骤三、计算不同点缺陷对应的子峰曲线峰面积; 步骤四、建立点缺陷所含孤对电子浓度与子峰曲线峰面积之间的关系,根据不同点缺陷对应的子峰曲线峰面积确定不同点缺陷所含的孤对电子的相对浓度; 步骤五、根据点缺陷化学结构及反应规律,确定不同点缺陷所含的孤对电子数目; 步骤六、根据孤对电子的相对浓度及不同点缺陷所含的孤对电子数目,确定熔融石英加工表面微缺陷区不同点缺陷的相对浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学,其通讯地址为:150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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