中国科学院重庆绿色智能技术研究院陈利刚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院重庆绿色智能技术研究院申请的专利微纳流道器件、制备方法及其用于太赫兹近场检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116223433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211644076.9，技术领域涉及：G01N21/3586；该发明授权微纳流道器件、制备方法及其用于太赫兹近场检测装置是由陈利刚;王化斌;杨忠波设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本微纳流道器件、制备方法及其用于太赫兹近场检测装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微纳流道器件，所述微纳流道器件用于太赫兹近场检测，所述微纳流道器件从上之下依次包括：太赫兹近场增强薄膜层，薄膜支撑层，以及基底层。本发明太赫兹近场检测装置，用于太赫兹近场检测，该装置将太赫兹高分辨技术与微纳流道腔体器件结合，实现溶液中目标物在个体水平的探测，为溶液样品如溶液中单个生物分子、单个细胞等的太赫兹精准探测提供技术支持。
本发明授权微纳流道器件、制备方法及其用于太赫兹近场检测装置在权利要求书中公布了：1.一种微纳流道器件，其特征在于，所述微纳流道器件用于太赫兹近场检测，所述微纳流道器件从上至下依次包括： 太赫兹近场增强薄膜层，其材质包括氮化硅膜、金-氮化硅膜或石墨烯-氮化硅膜中的一种； 所述氮化硅膜的厚度为10-30nm； 或所述金-氮化硅膜包括镀金层和氮化硅层，所述金-氮化硅膜中镀金层的厚度为2-10nm，氮化硅膜的厚度为10-20nm； 或所述氮化硅-石墨烯复合膜中上层为石墨烯，下层为氮化硅，所述石墨烯-氮化硅膜中上层石墨烯层的层数为1-8层，下层氮化硅的厚度为10-20nm； 薄膜支撑层，其为具有一定厚度的硅制成，所述薄膜支撑层上设有至少一个贯穿的微孔；以及 基底层，其具有一定厚度，中部设有凹槽，所述凹槽用于容纳液体样液，所述基底层设有进液口和出液口，所述凹槽、所述进液口和所述出液口连通，形成微流道； 其中，进行工作的状态下，样液置于高分辨太赫兹检测系统的探针下方，对应薄膜支撑层中部的微孔区域内进行探测，样液在所述基底层的凹槽内与所述太赫兹近场增强薄膜层接触； 所述微孔设于所述薄膜支撑层的中部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院重庆绿色智能技术研究院，其通讯地址为：400714 重庆市北碚区方正大道266号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号