电子科技大学伍荣翔获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种MOS稳压整流电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116054606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211672504.9,技术领域涉及:H02M7/217;该发明授权一种MOS稳压整流电路是由伍荣翔;王奕皓;周子敬设计研发完成,并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOS稳压整流电路在说明书摘要公布了:本发明属于电力电子与集成电路技术领域,具体提供一种MOS稳压整流电路,用以在实现整流功能的同时实现对输出电压的稳压控制。本发明所提供的MOS稳压整流电路采用由源极相连、栅极相连、源极和栅极之间通过电阻连接的两个MOS管串联组成的整流开关单元进行有源整流,与传统二极管相比,以MOS管作为整流器件工作的导通压降更小,提高了功率转换效率;采用控制信号生成电路可根据交流输入电压和直流输出电压生成控制信号,对整流开关单元的导通、关断进行控制,使得对储能电容的充电时间可控,从而实现稳压,并且减小了反向漏电流。最终,本发明具有功率转换效率较高、控制环路响应快、系统结构简单、工艺成本低的优点。
本发明授权一种MOS稳压整流电路在权利要求书中公布了:1.一种PMOS稳压整流电路,其特征在于,包括:由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一电阻、第二电阻与第一电容构成的第一稳压整流单元,以及第一控制信号生成电路;其中,第一MOS管、第二MOS管、第五MOS管与第六MOS管为PMOS型,第三MOS管与第四MOS管为NMOS型; 所述第一稳压整流单元中,第一MOS管的漏极、第五MOS管的源级与第六MOS管的栅极相连,且作为稳压整流电路的第一输入端;第二MOS管的漏极、第五MOS管的栅极与第六MOS管的源极相连,且作为稳压整流电路的第一输出端;第三MOS管的源极与衬底、第四MOS管的源极与衬底均相连,且作为稳压整流电路的第二输出端;第一MOS管的衬底、第二MOS管的衬底、第五MOS管的衬底与漏极、第六MOS管的衬底与漏极均相连,第三MOS管的漏极与第四MOS管的栅极相连,第三MOS管的栅极作为控制端;第一电容的一端连接稳压整流电路的第一输出端,另一端连接稳压整流电路的第二输入端;第一电阻的一端连接第一MOS管的源极、第二MOS管的源极,另一端连接第一MOS管的栅极、第二MOS管的栅极及第四MOS管的漏极;第二电阻的一端连接稳压整流电路第一输入端,另一端连接第四MOS管的栅极;所述稳压整流电路的第一输入端与第二输入端连接交流输入电压,稳压整流电路的第一输出端连接负载的正端、第二输出端连接负载的负端,稳压整流电路的第二输入端与第二输出端相连;所述第一MOS管、第二MOS管与第一电阻共同组成整流开关单元,所述控制信号生成电路根据稳压整流电路的输入电压和输出电压生成控制信号、并传输至控制端,以控制整流开关单元的导通与关断。
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