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龙图腾网获悉陕西亚成微电子股份有限公司申请的专利一种具有线性输出特性的超结功率MOSFET结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053296B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211740753.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有线性输出特性的超结功率MOSFET结构及其制备方法是由苗东铭;杨世红;余远强;徐永年;李小红设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有线性输出特性的超结功率MOSFET结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有线性输出特性的超结功率MOSFET结构及其制备方法，用于解决传统SJMOS器件结构输出信号失真或产生多余谐波导致电源管理系统无法稳定输出的技术问题。本发明在硅Drift区内设置有多个pillar区，其外侧设置有保护环；多个pillar区上表面由下至上依次设置有Shield区和Base区，Shield区宽度大于Base区；Shield区和Base区两侧均设置有JFET区；Shield区和JFET区均呈倒梯度掺杂分布，且掺杂峰值浓度对应深度均位于Base区底部；Shield区掺杂浓度高于Base区，JFET区掺杂浓度高于硅Drift区；保护环上设置有表面保护环，Base区内设置有Source区和源电极接触区；表面保护环上设置有场氧化层，JFET区上由下至上依次设置有栅氧化层、栅电极及注入屏蔽氧化层；源电极与源电极接触区导通。

本发明授权一种具有线性输出特性的超结功率MOSFET结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有线性输出特性的超结功率MOSFET结构，其特征在于： 包括硅衬底1、位于硅衬底1上表面的硅Drift区2以及位于硅衬底1下表面的漏电极18； 所述硅Drift区2内设置有多个柱状的pillar区3，用于形成有源区，多个pillar区3外侧设置有保护环4，用于形成终端区； 多个所述pillar区3上表面由下至上依次设置有Shield区10和Base区11，Shield区10的宽度大于Base区11的宽度；Shield区10和Base区11的两侧均设置有JFET区6；所述Shield区10和JFET区6的掺杂浓度均呈倒梯度分布，且掺杂峰值浓度对应深度均位于Base区11的底部；Shield区10的掺杂浓度高于Base区11的掺杂浓度，JFET区6的掺杂浓度高于硅Drift区2的掺杂浓度； 所述保护环4上表面设置有表面保护环41；表面保护环41、JFET区6以及Base区11的上表面均与硅Drift区2上表面齐平； 所述Base区11内由外至内依次设置有Source区12和源电极接触区15；所述Source区12和源电极接触区15的上表面均与JFET区6上表面齐平； 所述表面保护环41上表面设置有场氧化层5，且场氧化层5与JFET区6上表面接触；JFET区6上表面由下至上依次设置有栅氧化层7、栅电极8以及注入屏蔽氧化层9，且栅氧化层7与Base区11上表面接触；所述场氧化层5和屏蔽氧化层9上表面设置有介质层，且介质层延伸至Source区12；所述介质层上设置有源电极16，源电极16与源电极接触区15导通。

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