湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种多级沟槽增强型功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310037626.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种多级沟槽增强型功率器件及其制备方法是由袁俊;徐东;郭飞;王宽;魏强明;黄俊;杨冰;吴畅设计研发完成，并于2023-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多级沟槽增强型功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多级沟槽增强型功率器件，包括：氧化镓衬底，位于所述氧化镓衬底上的氧化镓外延层，位于所述氧化镓外延层上方的源极；所述氧化镓外延层上部设有多级沟槽，所述多级沟槽开口附近的外延层表面与第一级沟槽的侧壁和部分底面覆盖有栅介质层，所述多级沟槽除第一级沟槽外的沟槽的侧壁和底部覆盖有绝缘介质层，所述栅介质层和所述绝缘介质层表面沉积有栅电极，所述栅电极与所述源极之间覆盖有层间介质层。本发明采用多级沟槽，能够进一步降低氧化镓表面的电场强度，提高器件可靠性。
本发明授权一种多级沟槽增强型功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多级沟槽增强型功率器件，其特征在于，包括：氧化镓衬底，位于所述氧化镓衬底上的氧化镓外延层，位于所述氧化镓外延层上方的源极；所述氧化镓外延层上部设有多级沟槽，所述多级沟槽开口附近的外延层表面与第一级沟槽的侧壁和部分底面覆盖有栅介质层，所述多级沟槽除第一级沟槽外的沟槽的侧壁和底部覆盖有绝缘介质层，所述栅介质层和所述绝缘介质层表面沉积有栅电极，所述栅电极与所述源极之间覆盖有层间介质层； 所述多级沟槽的所有侧壁和底部覆盖有栅介质层；所述栅介质层位于所述绝缘介质层下方。
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