上海精测半导体技术有限公司金秀龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海精测半导体技术有限公司申请的专利量测校准方法及监控量测设备稳定性方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313865B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310146572.X，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权量测校准方法及监控量测设备稳定性方法是由金秀龙;翟冬梅;张戎;罗昺寰;张云;李仲禹设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本量测校准方法及监控量测设备稳定性方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种量测校准方法及监控量测设备稳定性的方法，该量测校准方法包括：制备表面覆盖介质膜的标准晶片；对标准晶片进行预处理；获取预处理后的标准晶片表面的空气分子污染层的生长公式；根据空气分子污染层的生长公式，对与标准晶片具有相同存放环境的待测晶片的表面的介质膜的量测厚度进行校准，以获取待测晶片表面的介质膜的校准厚度；标准晶片和待测晶片的表面具有相同类型的介质膜。该量测校准方法通过对晶片表面空气分子污染吸附和生长规律进行动态监测，然后通过其规律修正晶片的介质膜厚度，实现了介质膜量测厚度的校准，提高了获取介质膜厚度的精度。
本发明授权量测校准方法及监控量测设备稳定性方法在权利要求书中公布了：1.一种量测校准方法，其特征在于，包括： 制备表面覆盖介质膜的标准晶片； 对所述标准晶片进行预处理； 获取预处理后的标准晶片表面的空气分子污染层的生长公式； 根据所述空气分子污染层的生长公式，对与所述标准晶片具有相同存放环境的待测晶片的表面的介质膜的量测厚度进行校准，以获取所述待测晶片表面的介质膜的校准厚度； 其中，所述标准晶片和所述待测晶片的表面具有相同类型的介质膜，所述待测晶片和所述标准晶片非同一晶片。
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