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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种带隙基准电流电路模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115993866B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310145781.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种带隙基准电流电路模块是由陈晓飞;曾舜;焦海燕;程炼;刘政林;邹雪城设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙基准电流电路模块在说明书摘要公布了：本发明提供了一种带隙基准电流电路模块，其通过引入了额外支路电流对温度进行曲率补偿，并通过预置LDO调制和共模抵消方案减小了输出电源纹波，并利用输出端并联电容进一步减小了中低频的电源纹波和噪声。

本发明授权一种带隙基准电流电路模块在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电流电路模块，其特征在于：所述电路模块包括电阻R1和电阻R2，所述R1和R2串联后与N型BJT管Q3并联，且并联后一端连接至供电电压PRE-LDO1，另一端连接至N型MOS管M5的漏极，所述R1和R2所产生的分压输入至N型BJT管Q1的基极，所述Q3的集电极和基极相连后连接至PRE-LDO1、发射极连接至M5的漏极； 所述电路模块还包括电阻R3，所述R3的一端连接至PRE-LDO1，另一端连接至P型MOS管M1的源极、Q1的集电极、N型BJT管Q5的集电极，所述M1的漏极和栅极相连且漏极连接至N型MOS管M9的漏极； 所述电路模块还包括电阻R4，所述R4的一端连接至PRE-LDO1，另一端连接至P型MOS管M2的源极、N型BJT管Q2的集电极、N型BJT管Q4的集电极，所述Q1和Q2的发射极相连后连接至N型MOS管M7的漏极，所述Q5和Q4的发射极相连后通过电阻R14接地，所述M1和M2的栅极相连，所述M2的漏极和栅极通过电容C1相连且漏极连接至N型MOS管M11的漏极； 所述电路模块还包括电阻R5，所述R5的一端连接至PRE-LDO1，另一端连接至P型MOS管M3的源极，所述M3的栅极连接至M2的漏极且M3的漏极连接至N型MOS管M13的漏极； 所述电路模块还包括电阻R6，所述R6的一端连接至PRE-LDO1，另一端连接至N型MOS管M4的漏极和Q2的基极，所述M4的栅极连接至M3的漏极且M4的源极连接至外置电阻RSET的一端和信号端VSET，所述RSET的另一端接地，且所述RSET与外置电容CSET相并联； 所述电路模块还包括电阻R17、电阻R16和电阻R15，所述R17、R16和R15串联后一端连接至供电电压PRE-LDO2，另一端接地，所述R17和R16所产生的分压输入至Q5的基极，所述R16和R15所产生的分压输入至Q4的基极； 所述M5、M7、M9、M11的栅极均连接至PRE-LDO2，所述M5的源极连接至N型MOS管M6的漏极，所述M7的源极连接至N型MOS管M8的漏极，所述M9的源极连接至N型MOS管M10的漏极，所述M11的源极连接至N型MOS管M12的漏极； 所述电路模块还包括电阻R7，所述R7的一端连接至PRE-LDO2，另一端N型MOS管M114的漏极，所述M14的漏极和栅极相连，且M14的栅极还分别连接M6、M8、M10、M12、M13的栅极；所述M14通过电阻R8接地，所述M6通过电阻R9接地，所述M8通过电阻R10接地，所述M10通过电阻R11接地，所述M12通过电阻R12接地，所述M13通过电阻R13接地。

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