西北大学张耀获国家专利权
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龙图腾网获悉西北大学申请的专利一种紫磷/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310176490.X，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种紫磷/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法是由张耀;徐华;江曼;祝涛;李亚蓉设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紫磷/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紫磷二硫化钼异质结光电探测器及制备方法，所述的紫磷二硫化钼异质结光电探测器包括：衬底；制备在衬底上的VP层；制备在VP层上的MoS2层；制备在MoS2层上的金属源电极和金属漏电极；MoS2层将VP层完全覆盖，金属源电极和金属漏电极布置在MoS2层和VP层上的重叠部分。本发明利用MoS2保护VP，可实现在空气中对VP的保护，所制备的光电探测器具有很好的稳定性，可长时间暴露在空气中，克服了VP在空气中不稳定的关键应用瓶颈；本发明利用VP和MoS2构筑成异质结，基于VP的光门控效应，VPMoS2异质结器件展现出极高的响应度，探测率及外量子效率。
本发明授权一种紫磷/二硫化钼异质结光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种紫磷二硫化钼异质结光电探测器，其特征在于，所述的紫磷二硫化钼异质结光电探测器包括： SiSiO2衬底； 制备在所述的衬底上的VP层； 制备在所述的VP层上的MoS2层； 制备在所述的MoS2层上的金属源电极和金属漏电极； 所述的MoS2层将VP层完全覆盖； 所述的金属源电极和金属漏电极放置在MoS2层和VP层上的重叠部分； 所述的VP层的厚度为1nm～150nm； 所述的MoS2层的厚度为1nm～100nm； 所述的金属源电极或金属漏电极的厚度为5nm～80nm。
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