电子科技大学徐艺侨获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种新型栅压自举开关采样电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116208157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310203211.4,技术领域涉及:H03M1/12;该发明授权一种新型栅压自举开关采样电路是由徐艺侨;伍荣翔;王育新设计研发完成,并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型栅压自举开关采样电路在说明书摘要公布了:本发明属于电力电子和集成电路领域,具体提供一种新型栅压自举开关采样电路,用以解决传统栅压自举开关采样电路因工作路径过于冗杂导致工作开启速度不能过快的问题。本发明包括自举电路、保持电路与采样管,自举电路中包括自举电容、数字开关电路;自举电容用于根据数字开关电路获取信号源,根据信号源输出自举电压到采样管的栅极;保持用于根据两个相反时钟信号控制自举电容充电,以及采样管栅电位的复位工作;数字开关电路用于根据两个相反时钟信号控制自举电容C1放电,以及控制保持电路对采样管栅压的控制。本发明能够通过较少的元器件回路完成对开关管的栅压升压工作,有效的减少了栅压自举开关采样电路的工作时间。
本发明授权一种新型栅压自举开关采样电路在权利要求书中公布了:1.一种新型栅压自举开关采样电路,包括:自举电路、保持电路与采样管;其特征在于: 所述采样管为第一MOS管M1,第一MOS管M1的漏极连接输入信号Vin,第一MOS管M1的源极连接输出信号Vout; 所述自举电路包括:数字开关电路、自举电容C1、第三MOS管M3及第十二MOS管M12,所述数字开关电路由第一传输门开关与第二传输门开关构成;所述第一传输门开关由第五MOS管M5与第六MOS管M6构成,第五MOS管M5的源极与第六MOS管M6的漏极相连、并连接第三MOS管M3的栅极,第五MOS管M5的漏极与第六MOS管M6的源极相连、并连接输入信号Vin;所述第二传输门开关由第七MOS管M7与第八MOS管M8构成,第七MOS管M7的源极与第八MOS管M8的漏极相连、并连接自举电容C1的第一端,第七MOS管M7的漏极与第八MOS管M8的源级相连、并连接输入信号Vin;第五MOS管M5与第七MOS管M7的栅极均输入第一时钟信号CLK,第六MOS管M6与第八MOS管M8的栅极均输入第二时钟信号CLKN,第二时钟信号CLKN与第一时钟信号CLK信号相反;所述自举电容C1的第二端连接第三MOS管M3的源级,第三MOS管M3的漏极与第一MOS管M1的栅极相连; 所述保持电路包括:第九MOS管M9、第四MOS管M4、第二MOS管M2、第十MOS管M10及第十一MOS管M11,第九MOS管M9的漏极与自举电容C1的第一端相连,第四MOS管M4源极与自举电容C1的第二端相连,第二MOS管M2的源极与第三MOS管M3的栅极相连,第十MOS管M10的漏极与第一MOS管M1的栅极相连,第十MOS管M10的源极与第十一MOS管M11的漏极相连、并连接第十二MOS管M12的漏极;第九MOS管M9的源极与第十一MOS管M11的源极均接地,第四MOS管M4漏极、第二MOS管M2的漏极、第十MOS管M10的栅极与第十二MOS管M12的源极均接电源Vdd;第九MOS管M9与第二MOS管M2的栅极均输入第一时钟信号CLK,第四MOS管M4、第十一MOS管M11与第十二MOS管M12的栅极均输入第二时钟信号CLKN。
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