南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司王立获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310217081.X，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法是由王立;王伟;莫春兰;吴小明;陈芳;李新华;蒋恺设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法，在该方法中首先外延生长包含隧道结的外延片；通过制备沟槽的方式，使隧道结中的p型氮化物层暴露在环境中；对隧道结中的p型氮化物层进行热激活，p型氮化物层中的H可以通过沟槽扩散到环境中，实现隧道结中的p型氮化物层中较高的空穴浓度；另外，含隧道结的氮化镓发光二极管是垂直结构，底部的金属反射镜电极在沟槽的脊上，顶部的金属n电极位置正对沟槽位置，电极的错开分布设计，不仅助于电流的扩展，还减少出光损失。本发明可以实现大尺寸含隧道结中被掩埋p型氮化物层的激活，有利于大尺寸隧道结氮化镓发光二极管的应用。
本发明授权一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管，其特征在于：由下至上包括基板、粘结层、金属反射镜电极层、第一绝缘介质层、第一n型氮化物层、p型氮化物层、电子阻挡层、有源层、第二n型氮化物层、第二绝缘介质层、金属n电极；其特征在于：所述第一n型氮化物层、p型氮化物层各自均至少有两种不同的n型掺杂浓度氮化物层和p型掺杂浓度氮化物层，且所述第一n型氮化物层和p型氮化物层的界面形成隧道结；所述金属n电极为栅线结构，在每一条金属n电极的正下方对应有沟槽，并且在沟槽中填充有带第一开口的第一绝缘介质层；金属反射镜电极层通过第一绝缘介质层上的第一开口与第一n型氮化物层接触; 所述沟槽刻穿第一n型氮化物层，至p型氮化物层的表面或内部，沟槽的宽度d≤20μm，相邻两个沟槽的间距为L； 所述第一绝缘介质层的开口位置在两个沟槽之间的脊上。
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