山东华芯半导体有限公司曹成获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华芯半导体有限公司申请的专利一种SSD主控内解决浅擦除的方法及SSD单元获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116400859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310325737.X,技术领域涉及:G06F3/06;该发明授权一种SSD主控内解决浅擦除的方法及SSD单元是由曹成;李瑞东;王璞设计研发完成,并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SSD主控内解决浅擦除的方法及SSD单元在说明书摘要公布了:本发明设计了一种SSD单元,通过NAND浅擦除信息单元和NAND浅擦除操作单元,接收SSD运行期间产生的需要擦除的未写满Block,将SSD运行期间由于不同原因会产生需要擦除却未写满的Block写入,判定后进行写入或擦除,完成浅擦除操作,这样软件算法只需将需要处理浅擦除的Block写入该硬件模块的信息单元FIFO内即可,减少软件设计参与度与复杂度,达到使用少量硬件资源完成设计目的的效果。
本发明授权一种SSD主控内解决浅擦除的方法及SSD单元在权利要求书中公布了:1.一种SSD主控内解决浅擦除的方法,其特征在于,包括步骤: (1)将SSD运行过程中需要浅擦除的Block信息写入NAND浅擦除信息单元,启动浅擦除操作单元读取Block信息; (2)NAND浅擦除操作单元轮询NAND浅擦除信息单元中Block信息,只要有信息即读取; (3)NAND浅擦除操作单元整理Block的信息并判定生成写操作或擦操作,生成响应命令后将该命令写入对应通道的命令缓冲区内; (4)NAND浅擦除操作单元实时监测下发至各通道的操作命令状态,并将状态实时更新至NAND信息单元; (5)若写操作完成,NAND浅擦除操作单元判断操作状态是否成功,失败则再进行一次写操作,成功则计算是否已写满该Block,若写满该Block,NAND浅擦除操作单元生成擦除命令,并存入对应通道的命令缓冲区内; (6)若擦操作完成,NAND浅擦除操作单元判断操作状态是否成功,成功则将已擦除的Block放入系统待使用Block列表内,失败则再进行一次擦操作; NAND浅擦除信息单元,用于接收SSD运行期间产生的需要擦除的未写满Block; NAND浅擦除操作单元,用于根据Block信息生成相应的NAND操作命令并写入相应的命令缓冲区内,同时检测每条命令的操作状态; 所述NAND浅擦除信息单元包括一个FIFO和若干寄存器,所述寄存器包括启动寄存器和状态寄存器,FIFO用于写入Block信息,启动寄存器用于告知NAND浅擦除操作单元从FIFO内读取需要进行处理的Block信息,状态寄存器用于显示当前正在处理的Block信息以及相应操作以及操作状态。
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