扬州乾照光电有限公司曹金如获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司申请的专利一种LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310343639.9，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种LED外延结构及其制备方法是由曹金如;黄璐;李晓静;徐晶;马英杰设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种LED外延结构及其制备方法，该结构中超晶格电流扩展层包括周期性排布的超晶格单元，超晶格单元包括依次排布的Alx1Ga1‑x10.5In0.5P势阱层、Aly1Ga1‑y10.5In0.5P第一势垒层和Aly2Ga1‑y20.5In0.5P第二势垒层，0＜x1＜y1＜y2≤1。电子跃迁时，由于两个势垒层的阻挡而增强横向扩展电流，且电子在较厚的第一势垒层处积聚后隧穿过较薄的第二势垒层，提供较大的纵向扩展电流，即通过引入双势垒层并调节其组分和厚度，保证电流横向扩展的同时提升电流的纵向扩展，改善晶体生长质量，降低LED芯片工作电压，提升载流子注入效率，改善LED芯片性能。
本发明授权一种LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的超晶格电流扩展层，所述超晶格电流扩展层包括周期性排布的超晶格单元，所述超晶格单元包括沿背离所述衬底的方向依次排布的势阱层、第一势垒层和第二势垒层； 位于所述超晶格电流扩展层背离所述衬底一侧，沿背离所述衬底的方向依次排布的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层； 其中，所述势阱层为Alx1Ga1-x10.5In0.5P层，所述第一势垒层为Aly1Ga1-y10.5In0.5P层，所述第二势垒层为Aly2Ga1-y20.5In0.5P层，0＜x1＜y1＜y2≤1； 在垂直于所述衬底所在平面的方向上，所述第一势垒层的厚度为第一厚度d1，所述第二势垒层的厚度为第二厚度d2，d1d2。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州乾照光电有限公司，其通讯地址为：225101 江苏省扬州市下圩河路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励