长鑫存储技术有限公司周德洋获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种曝光补偿量确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118838119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310407193.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种曝光补偿量确定方法是由周德洋设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种曝光补偿量确定方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种曝光补偿量确定方法，包括：提供衬底，衬底中形成有第一结构和第一掩膜层；执行第一光刻工艺，在第一掩膜层上形成第一光阻图案，获取第一光阻图案与第一结构之间的第一对准偏移量；将第一光阻图案转移到第一掩膜层中形成第一图案；在第一掩膜层上形成第二掩膜层，执行第二光刻工艺，在第二掩膜层上形成第二光阻图案，并获取第二光阻图案与第一图案之间的第二对准偏移量；将第二光阻图案转移到第一掩膜层中形成第二图案，基于第一图案和第二图案形成目标图案；获取目标图案与第一结构之间的第三对准偏移量，并基于各对准偏移量，确定第一光刻工艺的曝光补偿量。提高了曝光补偿量的准确度，提高半导体产品的良率。
本发明授权一种曝光补偿量确定方法在权利要求书中公布了：1.一种曝光补偿量确定方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有第一结构和位于所述第一结构上的第一掩膜层； 执行第一光刻工艺，在所述第一掩膜层上形成第一光阻图案，获取所述第一光阻图案与所述第一结构之间的第一对准偏移量； 将所述第一光阻图案转移到所述第一掩膜层中，在所述第一掩膜层中形成第一图案，去除所述第一光阻图案； 在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，执行第二光刻工艺，在所述第二掩膜层上形成第二光阻图案，并获取所述第二光阻图案与所述第一图案之间的第二对准偏移量； 将所述第二光阻图案转移到所述第一掩膜层和所述第二掩膜层中，在所述第一掩膜层中形成第二图案，基于所述第一图案和所述第二图案形成目标图案； 获取所述目标图案与所述第一结构之间的第三对准偏移量，并基于所述第一对准偏移量、所述第二对准偏移量以及所述第三对准偏移量，确定所述第一光刻工艺的曝光补偿量。
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