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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870800B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310429324.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由冯道欢;蒋懿;肖德元设计研发完成，并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法：在半导体衬底上形成堆叠结构，包括沿第一方向延伸、且在第二方向和竖直方向呈阵列排布的多个线状半导体图形，所述堆叠结构沿第一方向依次包括晶体管区域和电容器区域；去除所述电容器区域中的所述牺牲层，以形成空腔；在所述空腔内形成至少部分悬空的沿第一方向延伸的第一分隔层；在所述第一分隔层的水平表面上、所述空腔的竖直内壁上以及所述空腔之间的线状半导体图形的水平表面上形成第一电极层；在所述第一电极层的表面上以及所述第一分隔层的竖直表面上形成电介质层；在所述电介质层的表面上形成第二电极层，所述第二电极层填充满剩余的空腔。提高DRAM的存储密度。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向延伸、且在第二方向和竖直方向呈阵列排布的多个线状半导体图形，沿竖直方向相邻所述线状半导体图形之间填充有牺牲层，沿第二方向相邻所述线状半导体图形之间填充有绝缘层，所述堆叠结构沿第一方向依次包括晶体管区域和电容器区域，所述竖直方向垂直于所述半导体衬底的表面，所述第一方向和第二方向平行于所述半导体衬底的表面； 去除所述电容器区域中的所述牺牲层，以在相邻的所述线状半导体图形之间形成空腔； 在所述空腔内形成至少部分悬空的沿第一方向延伸的第一分隔层； 在所述第一分隔层的水平表面上、所述空腔的竖直内壁上以及所述空腔之间的线状半导体图形的竖直表面及水平表面上形成第一电极层； 在所述第一电极层的表面上以及所述第一分隔层的竖直表面上形成电介质层； 在所述电介质层的表面上形成第二电极层，所述第二电极层填充满剩余的空腔。

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