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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118870807B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310450486.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法是由宛伟设计研发完成，并于2023-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层具有间隔排布的多个第一图形；形成间隙层，以于相邻第一图形之间形成凹槽；形成第二掩膜层，至少填充凹槽；对第二掩膜层和顶部间隙层进行第一回刻蚀，凹槽内剩余的第二掩膜层作为第二图形，第一图形和第二图形具有高度差；对第一图形和第二图形进行第二回刻蚀；形成第三掩膜层；对第三掩膜层进行平坦化处理，使其顶面与侧壁间隙层的顶面平齐；刻蚀去除侧壁间隙层以形成间隙，以剩余的第一图形、剩余的第二图形以及第三掩膜层为共同掩膜并沿间隙刻蚀衬底。本公开提高了半导体制程中图形尺寸均匀性和控制精确性。

本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有间隔排布的多个第一图形； 形成间隙层，所述间隙层至少包括覆盖于所述第一掩膜层顶面的顶部间隙层和覆盖于所述第一掩膜层侧壁的侧壁间隙层，以于相邻所述第一图形之间形成凹槽； 形成第二掩膜层，所述第二掩膜层至少填充所述凹槽； 对所述第二掩膜层和所述顶部间隙层进行第一回刻蚀，直至暴露所述第一图形的顶面，所述凹槽内剩余的所述第二掩膜层作为第二图形，所述第一图形的顶面和所述第二图形的顶面具有高度差； 对所述第一图形和所述第二图形进行第二回刻蚀，使所述侧壁间隙层的顶面均高出剩余的所述第一图形的顶面与剩余的所述第二图形的顶面； 形成第三掩膜层，所述第三掩膜层覆盖剩余的所述第一图形和剩余的所述第二图形； 对所述第三掩膜层进行平坦化处理，使所述第三掩膜层的顶面与所述侧壁间隙层的顶面平齐； 刻蚀去除所述侧壁间隙层以形成间隙，以剩余的所述第一图形、剩余的所述第二图形以及所述第三掩膜层为共同掩膜并沿所述间隙刻蚀所述衬底。

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