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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利掩膜板及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116590657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310614521.5，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权掩膜板及其制作方法是由张峰杰;王路;孙中元;王伟杰;薛金祥;张可忆设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩膜板及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种掩膜板及其制作方法，属于显示技术领域。其中，掩膜板，包括：陶瓷材质的掩膜板本体，所述掩膜板本体包括多个贯穿所述掩膜板本体的厚度方向的第一通孔，所述掩膜板本体的厚度小于所述第一通孔的孔径且大于所述第一通孔的孔径的0.1倍。本发明的技术方案能够实现高精度的掩膜板。

本发明授权掩膜板及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 制作陶瓷层； 在所述陶瓷层上形成多个过孔； 对所述陶瓷层进行减薄，使得所述陶瓷层的厚度小于所述过孔的深度，形成掩膜板本体，所述过孔形成为贯穿所述掩膜板本体的厚度方向的第一通孔，所述掩膜板本体的厚度小于所述第一通孔的孔径且大于所述第一通孔的孔径的0.1倍； 所述制作方法具体包括： 制作陶瓷层； 在所述陶瓷层上形成磁性金属层，对所述磁性金属层进行构图，形成多个贯穿所述磁性金属层的厚度方向的第二通孔； 以所述磁性金属层的图形为掩膜，对所述陶瓷层进行刻蚀，形成多个所述过孔； 从所述陶瓷层远离所述磁性金属层的一侧对所述陶瓷层进行减薄形成所述掩膜板本体，所述过孔形成为贯穿所述掩膜板本体的厚度方向的第一通孔； 形成所述陶瓷层和所述第一通孔具体包括： 形成第一陶瓷层，在所述第一陶瓷层上形成多个第三过孔； 在所述第一陶瓷层上形成磁性金属层，所述磁性金属层填充所述第三过孔，且所述磁性金属层远离所述第一陶瓷层的一侧表面为齐平的； 对所述磁性金属层进行刻蚀，形成多个磁性金属柱，所述磁性金属柱与所述第三过孔一一对应； 在形成有所述磁性金属柱的磁性金属层上形成第二陶瓷层； 对所述第一陶瓷层远离所述磁性金属层的一侧进行减薄，对所述第二陶瓷层远离所述磁性金属层的一侧进行减薄，直至暴露出所述磁性金属层； 去除所述第三过孔对应的磁性金属层，使得所述第三过孔形成为所述第一通孔。

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