中国科学技术大学孙帅帅获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利减振装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119103299B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310666704.1,技术领域涉及:F16F9/53;该发明授权减振装置是由孙帅帅;胡涛;阮晓辉;杨健设计研发完成,并于2023-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本减振装置在说明书摘要公布了:本公开提供一种减振装置,包括:缸体,缸体内设置有注有磁流变介质的介质腔;活塞,设置于缸体内,以将活塞两侧的介质腔分隔为两个子腔,活塞内设置有第一流道及第二流道,以容纳磁流变介质通过,使两个子腔相连通;阀片,可开合地安装于第一流道上,被构造成在将第一流道覆盖的关闭位置及与第一流道至少部分错位的打开位置之间移动;以及磁性部,被构造成在通电状态下形成可调节地磁场,以吸附阀片由关闭位置移动至打开位置,以改变通过活塞的磁流变介质的流量;其中,磁流变介质响应于磁性部形成的磁场的强度改变粘度和或塑性,以调节对活塞施加的阻尼力。
本发明授权减振装置在权利要求书中公布了:1.一种减振装置,其特征在于,包括: 缸体(2),所述缸体(2)内设置有注有磁流变介质的介质腔; 活塞,设置于所述缸体(2)内,以将所述活塞两侧的所述介质腔分隔为两个子腔,所述活塞内设置有第一流道(20)及第二流道(21),以容纳所述磁流变介质通过,使两个所述子腔相连通; 阀片(14),可开合地安装于所述第一流道(20)上,被构造成在将所述第一流道(20)覆盖的关闭位置及与所述第一流道(20)至少部分错位的打开位置之间移动;以及 磁性部,被构造成在通电状态下形成可调节地磁场,以吸附所述阀片(14)由所述关闭位置移动至所述打开位置,以改变通过所述活塞的磁流变介质的流量; 其中,所述磁流变介质响应于所述磁性部形成的磁场的强度改变粘度和或塑性,以调节对所述活塞施加的阻尼力; 所述活塞包括: 活塞外筒(12),可移动地设置于所述缸体(2)内; 第一端盖(4),安装于所述活塞外筒(12)的轴向的一端; 第二端盖(11),安装于所述活塞外筒(12)的轴向的另一端;以及 活塞阀芯(5),设置于所述第一端盖(4)及所述第二端盖(11)之间的所述活塞外筒(12)内,所述活塞阀芯(5)的内部设置有沿所述活塞阀芯(5)的轴向贯通的第一流道(20),所述活塞阀芯(5)与所述活塞外筒(12)之间限定所述第二流道(21); 其中,所述第一端盖(4)及所述第二端盖(11)的内部分别设置有与所述第一流道(20)及所述第二流道(21)相连通的流通孔,所述第一端盖(4)及所述第二端盖(11)所设置的流通孔彼此互为两个所述子腔的进液端及出液端; 还包括设置于所述第一端盖(4)上的活塞杆(1),所述活塞杆(1)被构造成随所述活塞相对于所述缸体(2)的移动,具有靠近所述缸体(2)的缸底的收缩状态及远离所述缸底的伸出状态; 其中,所述阀片(14)被构造成响应于所述活塞杆(1)的状态,在所述关闭位置及所述打开位置之间移动; 所述阀片(14)弹性的安装于所述活塞阀芯(5)的面对所述活塞杆(1)的一侧,被构造成响应于所述磁性部所形成的磁场,使所述阀片(14)的未与所述活塞阀芯(5)连接的端部向靠近所述活塞杆(1)的一侧发生形变至所述打开位置,或者,所述阀片(14)可枢转地安装于所述活塞阀芯(5)的面对所述活塞杆(1)的一侧,被构造成响应于所述磁性部所形成的磁场,使所述阀片(14)的未与所述活塞阀芯(5)连接的端部向靠近所述活塞杆(1)的一侧摆动至所述打开位置; 所述活塞还包括设置于所述第一端盖(4)及所述活塞杆(1)之间的缓冲块(3)。
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