长鑫存储技术有限公司胡嘉伦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝器件及其存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310700010.5，技术领域涉及：G11C17/18；该发明授权反熔丝器件及其存储器是由胡嘉伦设计研发完成，并于2023-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝器件及其存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种反熔丝器件及其存储器。反熔丝器件包括：反熔丝阵列，包括：多个反熔丝单元；编程控制电路，通过感测节点与反熔丝阵列耦接，包括：第一晶体管和漏电抑制电路，第一晶体管的第一端与感测节点耦接，漏电抑制电路的输入端与第一晶体管的控制端耦接，漏电抑制电路的输出端与第一晶体管的第二端耦接；其中，在对反熔丝单元执行编程操作时，漏电抑制电路的输出端处于第一电压电平；在对反熔丝单元执行读取操作时，漏电抑制电路的输出端处于第二电压电平；第二电压电平大于第一电压电平。
本发明授权反熔丝器件及其存储器在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝器件，其特征在于，包括： 反熔丝阵列，包括：多个反熔丝单元； 编程控制电路，通过感测节点与所述反熔丝阵列耦接，包括：第一晶体管和漏电抑制电路，所述第一晶体管的第一端与所述感测节点耦接，所述漏电抑制电路的输入端与所述第一晶体管的控制端耦接，所述漏电抑制电路的输出端与所述第一晶体管的第二端耦接；其中，在对所述反熔丝单元执行编程操作时，所述漏电抑制电路的输出端处于第一电压电平；在对所述反熔丝单元执行读取操作时，所述漏电抑制电路的输出端处于第二电压电平；所述第二电压电平大于所述第一电压电平。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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