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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119173031B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310735138.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备是由关超阳;罗杰;晋中华;贾礼宾;韩宝东;刘健设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备，所述制造方法包括：在衬底上依次交替沉积第一绝缘层和导电层，得到堆叠结构；对堆叠结构进行图案化刻蚀，在堆叠结构中形成多个第一沟槽，图案化的导电层包括位线、多个第一子部和多个第二子部；在第一沟槽中填充牺牲层；对图案化的导电层进行刻蚀，形成贯穿各图案化的导电层的多个第二沟槽；在第二沟槽中填充第二绝缘层；去除牺牲层，在第一沟槽中填充第一绝缘层；刻蚀去除第一沟槽中远离位线一侧的第一绝缘层，露出由交替堆叠的导电层和第一绝缘层形成的图案化的堆叠结构；对图案化的堆叠结构中露出的第一绝缘层进行刻蚀。本申请实施例的制造方法容易控制刻蚀形成的通孔和沟槽的形貌。

本发明授权3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种3D堆叠的半导体器件及其制造方法，其特征在于，所述3D堆叠的半导体器件包括：沿垂直于衬底的方向堆叠分布的不同层存储单元，字线；每一层包括多列存储单元，每个存储单元包括晶体管和电容器；所述字线贯穿所述不同层存储单元； 所述制造方法包括： 在衬底上依次交替沉积第一绝缘层和导电层，得到堆叠结构； 沿着朝向衬底的方向对所述堆叠结构进行图案化刻蚀，在所述堆叠结构中形成沿着平行于所述衬底的第一方向延伸的多个第一沟槽，图案化的导电层包括位线、分别连接在所述位线两侧且间隔分布的多个第一子部和多个第二子部； 在所述第一沟槽中填充牺牲层； 沿着朝向衬底的方向对图案化的导电层进行刻蚀，形成贯穿各图案化的导电层并且沿平行于所述衬底的第二方向延伸的多个第二沟槽； 在所述第二沟槽中填充第二绝缘层； 去除所述牺牲层，在所述第一沟槽中填充所述第一绝缘层； 刻蚀去除所述第一沟槽中远离所述位线一侧的第一绝缘层，露出由交替堆叠的导电层和第一绝缘层形成的图案化的堆叠结构； 对图案化的堆叠结构中露出的第一绝缘层进行刻蚀。

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