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龙图腾网获悉苏州磁亿电子科技有限公司申请的专利一种薄膜状晶界扩散源及制备方法、钕铁硼磁体制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117004903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310931626.3，技术领域涉及：C23C10/28；该发明授权一种薄膜状晶界扩散源及制备方法、钕铁硼磁体制备方法是由牛锋刚;代飞龙设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜状晶界扩散源及制备方法、钕铁硼磁体制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜状晶界扩散源及制备方法、钕铁硼磁体制备方法，该薄膜状晶界扩散源包括柔性耐高温载体；柔性耐高温载体的两侧贴附有HRE扩散源薄膜；两个HRE扩散源薄膜的外表面上分别贴附有微孔膜；本发明通过电泳沉积制备的HRE扩散源对磁铁进行晶界扩散，能有效提高磁铁的矫顽力，同时二次电泳沉积制备的微孔膜不会阻碍HRE扩散源向磁铁内部的扩散，同时还能避免HRE扩散源与磁铁表面大面积的接触，减少了过厚壳层的形成，提高了HRE利用率；柔性耐高温载体的耐高温和抗氧化特性，避免了扩散物质的氧化，降低了HRE的不必要消耗；由于柔性耐高温载体的存在，磁体与磁体的接触不会产生粘连现象，进而提高了装载量，提高了生产效率。

本发明授权一种薄膜状晶界扩散源及制备方法、钕铁硼磁体制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜状晶界扩散源的制备方法，其特征在于：所述薄膜状晶界扩散源包括柔性耐高温载体；所述柔性耐高温载体的两侧贴附有HRE扩散源薄膜；两个所述HRE扩散源薄膜的外表面上分别贴附有微孔膜；所述柔性耐高温载体选自Mo、W、Nb、Ta、Ti、Hf、Zr、V、Re的周期表ⅣB族、ⅤB族、ⅥB或ⅦB族的一种金属或者上述材料的合金制成，厚度为0.01-0.5mm；所述HRE扩散源为HRE化合物，所述HRE为Dy、Tb、Gd或Ho的一种或多种，所述HRE化合物是选自HRE的氧化物、氟化物、氢化物、氯化物或硝酸盐的一种或多种，所述HRE扩散源的厚度为10μm-200μm； 该薄膜状晶界扩散源的制备方法包括如下步骤： S1）制备厚度为0.01-0.5mm的柔性耐高温载体； S2）向HRE化合物悬浊液中加入定式剂，超声分散均匀后，加入电解槽中； S3）以柔性耐高温载体作为阴极，铜片作为阳极，设置沉积电压为20-200V，使用直流电源进行沉积，得到表面沉积有重稀土化合物涂层的扩散源基材； S4）制备AlOH3沉淀物，再将AlOH3沉淀物超声分散于有机介质中形成透明稳定AlOH3溶胶，以扩散源基材作为阴极，铜片作为阳极，设置沉积电压为20-100V，使用直流电源进行沉积，得到表面沉积有γ-Al2O3微孔膜的薄膜状晶界扩散源。

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