中国科学技术大学石媛媛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利基于高-k栅介质的二维半导体场效应晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311097710.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于高-k栅介质的二维半导体场效应晶体管及其制作方法是由石媛媛;方伍庆;房浩天;孙东东;朱贵旭;蓝龚鹏;闵钰峰设计研发完成，并于2023-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于高-k栅介质的二维半导体场效应晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于可消除缓冲层的高‑k栅介质集成技术的二维半导体场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上依次沉积背栅电极和背栅介质；将沟道层转移到背栅介质上；在沟道层上依次形成缓冲层、源极、漏极、高‑k介质材料形成的顶栅介质层和顶栅电极；在真空环境下退火处理，缓冲层升华，使得沟道层与顶栅介质层、沟道层与源极和漏极形成范德华界面。本发明提供的基于可消除缓冲层的高‑k栅介质集成技术，利用真空退火后可消除的缓冲层，避免了损伤二维材料，沉积了高质量的高‑k栅介质，实现对沟道层和顶栅介质之间的界面调控，微缩等效氧化物厚度；又实现沟道层与源极、漏极金属形成良好的接触，降低晶体管的接触电阻，提升其电学性能。
本发明授权基于高-k栅介质的二维半导体场效应晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于高-k栅介质的二维半导体场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底（1）上依次沉积背栅电极（2）和背栅介质层（3）； 将沟道层（4）转移到所述背栅介质层（3）上； 在所述沟道层（4）上依次形成缓冲层（5）、源极（6）、漏极（7）、高-k介质材料形成的顶栅介质层（8）和顶栅电极（9）；以及 在形成所述顶栅电极（9）后在真空环境下进行退火处理，以使所述缓冲层（5）在加热条件下升华，使得所述沟道层（4）与所述顶栅介质层（8）形成范德华界面，并且使得所述沟道层（4）与所述源极（6）和所述漏极（7）形成范德华界面。
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