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龙图腾网获悉泉州装备制造研究所申请的专利一种坩埚下降法晶体生长炉的温度控制系统的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117468079B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311529797.X，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种坩埚下降法晶体生长炉的温度控制系统的控制方法是由王森林;陈祥烨;陈豪;陈松航;骆炜;张剑铭;连明昌;王耀宗设计研发完成，并于2023-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种坩埚下降法晶体生长炉的温度控制系统的控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种坩埚下降法晶体生长炉的温度控制系统的控制方法，温度控制系统主要由PLC控制器、SCR调功器、加热棒、高精度热电偶等部件组成，本发明利用PLC设计模糊解耦控制器，首先对上、下温区温度进行实时采集，并将温度数据传输至PLC控制器中，并计算误差E与误差变化率EC，该控制器会根据上、下温区温度的实际值与设定值的误差以及误差变化率，经过事先设计好的离线模糊规则查询表来实时调节上、下温区加热棒的加热功率，从而实现解耦与精确控温的目的。具体通过遍历上述的离线模糊规则查询表可以得到相应的输出控制量，该控制量通过DA转换后利用SCR调功器调节加热棒的功率，从而实现升温过程中无超调、控温过程稳定与调节时间短的目的。

本发明授权一种坩埚下降法晶体生长炉的温度控制系统的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种坩埚下降法晶体生长炉的温度控制系统的控制方法，其特征在于：所述温度控制系统包括PLC控制器，第一SCR调功器，第二SCR调功器，位于生长炉上温区的第一加热棒，位于生长炉上温区的第一高精度热电偶，位于生长炉下温区的第二加热棒，位于生长炉下温区的第二高精度热电偶，所述PLC控制器设有PLC模拟量输入输出模块，所述第一高精度热电偶和所述第二高精度热电偶的输出端连接于所述PLC模拟量输入输出模块中的输入端，所述第一SCR调功器和所述第二SCR调功器分别连接于所述PLC模拟量输入输出模块中的输出端，所述第一SCR调功器的输出端电连接于所述第一加热棒的控制端，所述第二SCR调功器的输出端电连接于所述第二加热棒的控制端； 所述控制方法包括如下步骤： 步骤S1：设定上、下温区预期的温度值ST1、ST2，所述第一高精度热电偶和所述第二高精度热电偶实时采集晶体生长炉内的上温区和下温区的温度并将采集到的温度数据传输到PLC模拟量输入输出模块中； 步骤S2：根据步骤1设定与采集的温度数据，PLC控制器采用模糊解耦的控制方法计算得到坩埚下降法晶体生长炉的最终温度的输出控制量； 步骤S2中，PLC控制器的控制过程步骤如下： 步骤S2.1，对当前温区温度进行采样，上温区实际温度记为T1，下温区实际温度记为T2，并计算当前时刻实际温度与设定温度的偏差E与偏差变化率EC，所述上温区的偏差E记为偏差E1,上温区的偏差变化率记为EC1，下温区的偏差E记为偏差E2，下温区的偏差变化率记为EC2；其对应的公式为： ； ； 步骤S2.2，对步骤S2.1计算得到的偏差E和偏差变化率EC进行量化； 步骤S2.3，遍历事先预制的相应的离线模糊规则查询表，得到相应的输出控制量，所述离线模糊规则查询表基于模糊解耦的控制方法设计得到； 步骤S2.4：根据步骤S2.3得到的输出控制量，将输出控制量进行DA转换，通过PLC模拟量输入输出模块输出电流信号；输出后的电流信号传输给第一SCR调功器或第二SCR调功器，然后调控相应加热棒的加热功率； 步骤S3：重复步骤S1和步骤S2，利用第一SCR调功器或第二SCR调功器，调节相应加热棒的加热功率。

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