中国科学院福建物质结构研究所林昊炜获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院福建物质结构研究所申请的专利一种铟基杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117924180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311765534.9，技术领域涉及：C07D233/58；该发明授权一种铟基杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用是由林昊炜;黄小荥设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铟基杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种铟基杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用，属于荧光材料领域，所述铟基杂化金属卤化物晶体的化学式为[Ammim][InCl4L]；其中，Ammim为有机阳离子，InCl4L为卤化物阴离子，L为有机配体；所述有机阳离子为1‑烯丙基‑2,3‑二甲基咪唑鎓离子；所述有机配体为4,4’‑二甲基‑2,2’‑联吡啶。本申请的铟基杂化金属卤化物晶体属于零维杂化金属卤化物，可以将紫外光转化成高强度的可见光，制备工艺简单，原料环境友好且廉价易得，所得产品纯度高，荧光性能优异，稳定性好，极易进行加工处理，是作为单组分白光发光材料的优良选择。
本发明授权一种铟基杂化金属卤化物晶体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种铟基杂化金属卤化物晶体，其特征在于，所述铟基杂化金属卤化物晶体的化学式为[Ammim][InCl4L]； 其中，Ammim为有机阳离子，InCl4L为卤化物阴离子，L为有机配体； 所述有机阳离子为1-烯丙基-2,3-二甲基咪唑鎓离子； 所述有机配体为4,4’-二甲基-2,2’-联吡啶； 所述铟基杂化金属卤化物晶体属于单斜晶系，空间群为P21c； 所述铟基杂化金属卤化物晶体的晶胞参数为 β＝109.0062°，Z＝4。
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