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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利低密勒电容的MOSFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410691168.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权低密勒电容的MOSFET器件及制备方法是由李泽宏;李岫芸;郭心如;王彤阳;任敏设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本低密勒电容的MOSFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种低密勒电容的MOSFET器件及制备方法，包括重掺杂第一导电类型半导体衬底、轻掺杂第一导电类型半导体外延层、重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片、栅极介质层、N型多晶硅、第一导电类型半导体体区、第二导电类型半导体轻掺杂漏区、重掺杂第二导电类型半导体漏极接触区、重掺杂第二导电类型源区、P型多晶硅、源极金属场板下方绝缘介质层、源极金属场板、源极金属场板与漏极金属隔离介质层、漏极金属、源极金属；本发明提供的一种低密勒电容的MOSFET器件，其栅极包含两种不同掺杂的多晶硅，所形成的多晶硅PN结引入了多晶硅PN结耗尽区电容，与器件原有的密勒电容串联，整体密勒电容减小。

本发明授权低密勒电容的MOSFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低密勒电容的MOSFET器件，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型半导体衬底1、轻掺杂第一导电类型半导体外延层2、重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片3、栅极介质层4、N型多晶硅5、第一导电类型半导体体区6、第二导电类型半导体轻掺杂漏区7、重掺杂第二导电类型半导体漏极接触区8、重掺杂第二导电类型源区9、P型多晶硅10、源极金属场板下方绝缘介质层11、源极金属场板12、源极金属场板与漏极金属隔离介质层13、漏极金属14、源极金属15； 其中，所述轻掺杂第一导电类型半导体外延层2位于重掺杂第一导电类型半导体衬底1的上表面；所述重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片3位于轻掺杂第一导电类型半导体外延层2内左侧，并连通重掺杂第一导电类型半导体衬底1和源极金属场板12；所述第一导电类型半导体体区6位于轻掺杂第一导电类型半导体外延层2的左上部，且左侧与重掺杂第一导电类型半导体垂直沉片3以及源极金属场板12相接触，右侧与第二导电类型半导体轻掺杂漏区7相接触；所述第二导电类型半导体轻掺杂漏区7位于轻掺杂第一导电类型半导体外延层2的右上部，第二导电类型半导体轻掺杂漏区7内部右上方具有重掺杂第二导电类型半导体漏极接触区8；所述重掺杂第二导电类型源区9位于第一导电类型半导体体区6的左上侧，且重掺杂第二导电类型源区9左侧与源极金属场板12相接触；所述N型多晶硅5与第一导电类型半导体体区6通过栅极介质层4相隔离；所述P型多晶硅10位于N型多晶硅5右侧且两者相互接触；栅极介质层4上表面覆盖源极金属场板下方绝缘介质层11，所述源极金属场板下方绝缘介质层11包围N型多晶硅5和P型多晶硅10；所述源极金属场板12位于源极金属场板下方绝缘介质层11上表面；源极金属场板下方绝缘介质层11上表面覆盖源极金属场板与漏极金属隔离介质层13，所述源极金属场板与漏极金属隔离介质层13包围源极金属场板12；所述漏极金属14位于源极金属场板与漏极金属隔离介质层13上表面，通过接触孔伸入半导体材料中并与重掺杂第二导电类型源区9相接触；所述源极金属15位于器件的下表面。

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