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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利一种优化Bosch刻蚀工艺侧壁的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866673B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410858667.9，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种优化Bosch刻蚀工艺侧壁的方法是由苏宁;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优化Bosch刻蚀工艺侧壁的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种优化Bosch刻蚀工艺侧壁的方法，包括步骤：S1,预处理：提供Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆；采用第一清洗液对经Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆进行预处理；S2，腐蚀：将经步骤S1预处理后的晶圆放置于硅腐蚀液中进行常温腐蚀；S3,去掩膜：于室温条件下，采用第二清洗液对经步骤S2腐蚀后的晶圆进行清洗，用以去除晶圆表面的SiO2掩膜。本发明所述优化方法对Bosch刻蚀工艺侧壁波纹进行处理形成平缓的形貌，以提升器件的性能以及寿命。

本发明授权一种优化Bosch刻蚀工艺侧壁的方法在权利要求书中公布了：1.一种优化Bosch刻蚀工艺侧壁的方法，其特征在于，包括步骤： S1,预处理：提供Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆：采用氟基气体为钝化和刻蚀气体，Ar为轰击气体，以依次进行的钝化、硅刻蚀和离子轰击为一个循环，循环数次，以沿深度方向对晶圆进行刻蚀； 所述钝化采用C4F8为钝化气体、Ar为轰击气体，在压力为25mt、时间为2.5s、power为5+2000条件下对待刻蚀表面进行钝化；其中C4F8的气体流量为150sccm，Ar的气体流量为30sccm； 所述硅刻蚀采用SF6为刻蚀气体、Ar为轰击气体，在压力为40mt、时间为3s、power为50+2000的条件下对晶圆表面进行刻蚀；其中，SF6的气体流量为150sccm，Ar的气体流量为30sccm； 所述离子轰击SF6为刻蚀气体、Ar为轰击气体，在压力为40mt、时间为3s以及power为5+2800的条件下，沿深度方向进行离子轰击，以去除底部钝化层；其中，SF6的气体流量为150sccm，Ar的气体流量为30sccm； 采用第一清洗液对经Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆进行预处理；所述第一清洗液包括SYS9070溶液； S2，腐蚀：将经步骤S1预处理后的晶圆放置于硅腐蚀液中进行常温腐蚀，常温腐蚀的时间为3-5分钟；步骤S2中，以重量份数计，所述硅腐蚀液配比为HNO3:H2O:HAC:HF＝45-50:20-25:2-3:1-1.5，硅腐蚀速率为3000-3500Amin； S3,去掩膜：于室温条件下，采用第二清洗液对经步骤S2腐蚀后的晶圆进行清洗，用以去除晶圆表面的SiO2掩膜；所述第二清洗液包括BOE溶液；以重量份数计，所述BOE溶液的配比为HF:H2O＝1：5。

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