安阳师范学院杜卫民获国家专利权
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龙图腾网获悉安阳师范学院申请的专利具有嵌套晶格结构的自支撑Co9Se8||NiSe2混晶纳米棒阵列电极材料及其制备方法和储能应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118762937B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410867917.5，技术领域涉及：H01G11/30；该发明授权具有嵌套晶格结构的自支撑Co9Se8||NiSe2混晶纳米棒阵列电极材料及其制备方法和储能应用是由杜卫民;张金格;付佳敏;朱琳;王义鑫;魏成振;张道军设计研发完成，并于2024-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有嵌套晶格结构的自支撑Co9Se8||NiSe2混晶纳米棒阵列电极材料及其制备方法和储能应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有嵌套晶格结构的自支撑Co9Se8||NiSe2混晶纳米棒阵列电极材料及其制备方法和储能应用，属于新能源材料制备与应用技术领域。其通过如下步骤制备而成：以预处理过的泡沫钴镍为金属源，通过简便高效的一步溶剂热法合成了自支撑Co9Se8||NiSe2混晶纳米棒阵列电极材料。该多元过渡金属复合材料具有显著的协同效应，提供了丰富的电化学活性位点，高密度的混晶纳米棒形成连续稳定的纳米阵列结构，孔隙体积大，为电子传递提供了直接的途径，Co9Se8和NiSe2之间形成的异质结界面可以极大地优化混晶纳米棒的电导率。该电极材料具有优异的电化学储能特性，在电流密度为1Ag‑1时的质量比电容可达到710Fg‑1，将其作为超级电容器电极材料具有很好的开发应用前景。
本发明授权具有嵌套晶格结构的自支撑Co9Se8||NiSe2混晶纳米棒阵列电极材料及其制备方法和储能应用在权利要求书中公布了：1.自支撑Co9Se8||NiSe2混晶纳米棒阵列电极材料，其特征在于，通过以下方法制备而成：将硒粉和预处理的市售泡沫钴镍放入带有聚四氟乙烯内衬的反应釜中，加入乙醇胺溶剂，密封后加热反应；反应结束后，将泡沫钴镍取出，用无水乙醇、去离子水交替清洗，最后在真空干燥箱中干燥，得到自支撑的Co9Se8||NiSe2混晶纳米棒阵列电极材料； 所述硒粉的用量选2-8mmol，乙醇胺的用量选18mL；所述加热温度选200~220℃。
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