LG伊诺特有限公司白智钦获国家专利权
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龙图腾网获悉LG伊诺特有限公司申请的专利金属材料OLED沉积掩模及沉积掩模的残余应力的测量方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116083843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310109595.3,技术领域涉及:C23C14/04;该发明授权金属材料OLED沉积掩模及沉积掩模的残余应力的测量方法是由白智钦;金海植;曹荣得;李相侑;曹守铉;孙晓源设计研发完成,并于2018-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属材料OLED沉积掩模及沉积掩模的残余应力的测量方法在说明书摘要公布了:本发明涉及金属材料OLED沉积掩模及沉积掩模的残余应力的测量方法。特别地,所述沉积掩模包括:沉积区域和非沉积区域,其中,所述沉积区域包括有效部分和非有效部分,其中,所述有效部分包括多个通孔,多个所述通孔包括从一个表面沿深度方向的小表面孔和从与所述一个表面相反的另一表面沿深度方向与所述小表面孔连通的大表面孔、以及在所述另一表面上位于多个所述大表面孔之间的岛状部分,并且其中,所述非沉积区域包括第一凹槽部分,所述第一凹槽部分包括沿所述沉积掩模的深度方向的凹槽。
本发明授权金属材料OLED沉积掩模及沉积掩模的残余应力的测量方法在权利要求书中公布了:1.一种金属材料OLED沉积掩模,所述沉积掩模包括: 沉积区域和非沉积区域, 其中,所述沉积区域包括有效部分和非有效部分, 其中,所述有效部分包括多个通孔,多个所述通孔包括从一个表面沿深度方向的小表面孔和从与所述一个表面相反的另一表面沿深度方向与所述小表面孔连通的大表面孔、所述小表面孔与所述大表面孔连通的连通部分、以及在所述另一表面上位于多个所述大表面孔之间的岛状部分,并且 其中,所述大表面孔包括彼此相邻的第二蚀刻表面和第三蚀刻表面, 其中,所述第二蚀刻表面的横截面倾斜角与所述第三蚀刻表面的横截面倾斜角不同, 其中,所述有效部分包括第一肋,所述第一肋设置在沿所述沉积掩模的侧向方向间隔开的多个所述大表面孔之间;和 第二肋,所述第二肋设置在沿所述沉积掩模的与所述侧向方向垂直的纵向方向彼此间隔开的多个大表面孔之间,并且 其中,所述第一肋的中心的厚度不同于所述第二肋的中心的厚度,并且 其中,形成在所述第一肋的中央部分上的第一小表面孔在所述侧向方向上从所述一个表面至所述连通部分的高度不同于形成在所述第二肋的中央部分上的第二小表面孔在所述纵向方向上从所述一个表面至所述连通部分的高度。
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