美光科技公司S·A·琼获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利动态L2P高速缓存获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114116535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111211685.0，技术领域涉及：G06F12/0871；该发明授权动态L2P高速缓存是由S·A·琼设计研发完成，并于2018-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态L2P高速缓存在说明书摘要公布了：本申请涉及动态L2P高速缓存。在一些实例中揭示响应于所观察的操作状况动态地调整存储器装置中的L2P高速缓存的大小的方法、系统及机器可读媒体。所述L2P高速缓存可从例如读取或写入缓冲器的施体存储器位置借用存储器空间。例如，如果所述系统注意到大量读取请求，那么所述系统可以所述写入缓冲器其可被减小为代价来增加所述L2P高速缓存的所述大小。同样地，如果所述系统注意到大量写入请求，那么所述系统可以所述读取缓冲器其可被减小为代价来增加所述L2P高速缓存的所述大小。
本发明授权动态L2P高速缓存在权利要求书中公布了：1.一种NAND存储器装置，其包括： 控制器； 易失性存储器，其存储指令，当所述指令被所述控制器执行时致使所述控制器执行如下操作： 确定所述NAND存储器装置的命令队列的命令队列深度； 基于所述命令队列的所述命令队列深度超过所述命令队列中的阈值数目个命令，确定是否应该增加分配给逻辑到物理L2P高速缓存的易失性存储器量； 响应于确定应该增加分配给所述L2P高速缓存的所述易失性存储器量： 基于所述命令队列中的所述命令，从读缓冲器、写缓冲器、或所述读缓冲器和所述写缓冲器中的一者中选择施体存储器位置； 将分配给所选择的施体存储器位置的易失性存储器区域重新分配给所述L2P高速缓存；以及 将所述L2P高速缓存中的额外L2P条目至少部分地存储在先前分配给所述施体存储器位置的所述易失性存储器区域中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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