台湾积体电路制造股份有限公司蔡承晏获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体工艺所用的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111535505.4，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体工艺所用的方法是由蔡承晏;吴仲强;黄泰维;锺鸿钦;李威缙;李达元;苏庆煌;庄媖涓;刘冠廷设计研发完成，并于2019-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺所用的方法在说明书摘要公布了：此处所述的实施例关于对半导体基板上的不同晶体管的金属栅极中所用的材料进行预沉积处理。在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位于基板上。第一装置包括第一栅极结构，且第一栅极结构包括第一含金属层。第二装置包括第二栅极结构，且第二栅极结构包括第二含金属层，而第一含金属层与第二含金属层不同。暴露第一含金属层与第二含金属层上的单层至氧化剂，以提供单层所用的羟基封端表面。之后形成第三含金属层于第一含金属层与第二含金属层上的单层的羟基封端表面上。
本发明授权半导体工艺所用的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺所用的方法，包括： 形成一栅极介电层于一第一沟槽与一第二沟槽中，该第一沟槽与该第二沟槽各自定义于一介电结构中并与一基板上的一鳍状物相交； 形成一第一金属层于该第一沟槽中的该栅极介电层上； 形成一第二金属层于该第二沟槽中的该栅极介电层上，其中该第一金属层与该第二金属层的化学组成彼此不同； 直接形成一功函数调整层于该第一沟槽中的该第一金属层与该第二沟槽中的该第二金属层上，且该第一金属层上的该功函数调整层的厚度不同于该第二金属层上的该功函数调整层的厚度；以及 分别形成多个栅极于该第一沟槽与该第二沟槽中的该功函数调整层上，其中该第一沟槽中的该功函数调整层的厚度与该第二沟槽中的该功函数调整层的厚度之间的差异介于28％至39％之间。
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