台湾积体电路制造股份有限公司金志昀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110581131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910160416.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构是由金志昀;林衍廷;戴荣吉;李健玮;丁姮彣;刘威民;李彦儒;宋学昌;郑培仁;李启弘;徐梓翔设计研发完成，并于2019-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一实施例为半导体结构。半导体结构包括基板。鳍状物位于基板上。鳍状物包括硅锗。界面层位于鳍状物上。界面层厚度大于0nm且小于或等于约4nm。源极漏极区位于界面层上。源极漏极区包含硅锗。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一基板； 一鳍状物，位于该基板上，且该鳍状物包括硅锗并具有多个凹陷部分； 一界面层，位于该鳍状物的该些凹陷部分上，且该界面层的厚度介于1nm至4nm之间，其中该界面层包覆该鳍状物的表面上的杂质；以及 一源极漏极区，位于该界面层上，且该源极漏极区包括硅锗， 其中该界面层的表面粗糙度小于该些凹陷部分的表面粗糙度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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