三星电子株式会社金在焕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111199968B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911075453.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权制造半导体装置的方法是由金在焕;姜在贤;申秉澈;朴起兴;白承元设计研发完成，并于2019-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：提供了制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括从目标设计布局中选择目标图案。目标图案包括：目标网；电连接到目标网的目标过孔；以及交叉网，其电连接到目标过孔并且位于与目标网不同的水平高度上。该方法包括分析与目标网相邻的外围图案。此外，该方法包括生成冗余网和将冗余网和交叉网电连接的冗余过孔。
本发明授权制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括： 提供包括所述半导体装置的设计信息和工艺信息的数据库； 通过执行使用基于所述数据库的特征集的机器学习来生成预测模型，其中所述预测模型预测所述半导体装置的坏图案； 使用所述预测模型从目标设计布局中选择目标图案，其中所述目标图案包括： 目标网； 目标过孔，其电连接到所述目标网；和 交叉网，其电连接到所述目标过孔并且位于与所述目标网不同的水平高度上； 分析与所述目标网相邻的外围图案； 基于分析所述外围图案，生成与所述交叉网相交的冗余网，所述冗余网位于与所述目标网相同的水平高度上，并且生成电连接所述冗余网和所述交叉网的冗余过孔；和 检查所述冗余网和所述冗余过孔，以确定所述冗余网和所述冗余过孔是否满足预定设计规则。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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