瑞萨电子株式会社横山佳巧获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体器件以及驱动半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010201893.1，技术领域涉及：G11C11/4063；该发明授权半导体器件以及驱动半导体器件的方法是由横山佳巧;薮内诚设计研发完成，并于2020-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及驱动半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件以及驱动半导体器件的方法，其目的是为具有大寄生电阻或大负载容量的布线提供能够提高在远离驱动器的位置处的布线的电压的升高或降低速度的技术。半导体器件包括：第一布线，具有第一部、第二部、在第一部和第二部之间提供的第三部；连接到第三部的多个存储器单元；具有栅极和连接到第二部的漏极的场效应晶体管以及与第一布线并联提供的第二布线。第一布线的第三部包括靠近第一部的第四部、靠近第二部的第五部、设置在第一部与第四部之间的第六部。多个存储器单元包括连接到第四部的第一存储器单元和连接到第五部的第二存储器单元。第二布线电连接在第六部与场效应晶体管的栅极之间。
本发明授权半导体器件以及驱动半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一布线，包括： 第一部分； 不同于所述第一部分的第二部分；以及 不同于所述第一部分和所述第二部分的第三部分，并且所述第三部分被设置在所述第一部分和所述第二部分之间； 驱动器电路，被连接到所述第一部分； 多个存储器单元，被连接到所述第三部分； 第二布线，被连接到所述第一部分； 电位改变电路，所述电位改变电路不同于所述驱动器电路； 其中所述第一布线包括字线； 其中所述驱动器电路被供应有第一电源电位，并且基于所述第一电源电位驱动所述第一布线和所述第二布线； 其中所述多个存储器单元被供应有第二电源电位，并且在所述多个存储器单元的读取操作中，所述第一电源电位低于所述第二电源电位；以及其中所述电位改变电路被连接到所述第二布线，并且被配置为被激活以使得基于所驱动的所述第二布线的电位电平上拉所述字线的所述第二部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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