东京毅力科创株式会社池上真史获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利静电吸附方法和等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112490103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010921226.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权静电吸附方法和等离子体处理装置是由池上真史设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电吸附方法和等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种静电吸附方法和等离子体处理装置，能够简易地抑制环构件的吸附力的下降。对电极按等离子体处理的处理单位施加不同的极性的电压，所述电极设置于载置作为等离子体处理的对象的基板和包围基板的周围的环构件的载置台的内部的、至少与环构件对应的区域中。
本发明授权静电吸附方法和等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种静电吸附方法，在该静电吸附方法中， 针对在用于载置基板和环构件的载置台的内部的至少与所述环构件对应的区域设置的第一电极和第二电极，在等离子体处理和后处理的期间施加电压，所述基板为等离子体处理的对象，所述环构件包围所述基板的周围， 在所述静电吸附方法中，将针对第一基板的所述等离子体处理与所述后处理的组合以及针对第二基板的所述等离子体处理与所述后处理的组合作为一个处理周期进行控制， 其中，在针对所述第一基板执行第一等离子体处理的期间，进行控制，以对所述第一电极施加第一电压并且对所述第二电极施加与所述第一电压极性相反的第二电压， 在针对所述第一基板的所述第一等离子体处理之后，在执行针对所述第一基板的第一后处理的期间，进行控制，以对所述第一电极施加所述第二电压并且对所述第二电极施加所述第一电压， 在针对所述第一基板的所述第一后处理之后，在执行针对所述第二基板的第二等离子体处理的期间，进行控制，以对所述第一电极施加所述第二电压并且对所述第二电极施加所述第一电压， 在针对所述第二基板的所述第二等离子体处理之后，在执行针对所述第二基板的第二后处理的期间，进行控制，以对所述第一电极施加所述第一电压并且对所述第二电极施加所述第二电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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