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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110120643.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由周飞设计研发完成，并于2021-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：在所述基底上形成第一介质材料层，所述第一介质材料层位于所述初始第一鳍部侧壁；去除所述第一轴心层；去除所述第一轴心层后，以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述初始第一鳍部，形成两个相互分立的第一鳍部，以及位于两个所述第一鳍部之间的第一开口；形成所述第一隔离结构后，回刻蚀所述第一介质材料层，形成第二隔离结构，所述第二隔离结构的顶部表面低于所述第一鳍部顶部表面。所述第一鳍部和所述第一开口以所述第一侧墙为掩膜，采用一次刻蚀同步形成，简化了生产工序，同时，所述第一介质材料层用于形成第二隔离结构，且保护了所述基底、所述第二鳍部以及所述初始第一鳍部侧壁不受刻蚀损伤。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区和第二区； 在所述基底上形成复合层，所述复合层包括若干层重叠的初始牺牲层以及位于相邻两层初始牺牲层之间的初始沟道层； 在所述第一区和所述第二区上所述复合层表面形成第二轴心层； 覆盖所述第二轴心层和所述复合层表面上形成第二侧墙材料层； 回刻蚀所述第二侧墙材料层，使所述复合层表面和所述第二轴心层表面暴露，形成第二轴心层结构，所述第二轴心层结构包括所述第二轴心层以及位于所述第二轴心层侧壁的第二侧墙； 在形成第二轴心层结构后，在所述复合层表面形成辅助层，所述辅助层还位于所述第二轴心层结构侧壁； 去除所述第一区上的所述复合层表面的所述第二轴心层，在所述第一区上的所述第二侧墙内形成沟槽； 在所述沟槽侧壁形成第三侧墙； 在所述第三侧墙内形成第一轴心层，以在所述第一区上的部分所述复合层表面形成多个第一轴心层结构，所述第一轴心层结构包括所述第一轴心层以及所述第一轴心层侧壁的两个第一侧墙，所述第一侧墙包括：所述第一区上的所述第二侧墙、以及位于所述第一轴心层和所述第一区上的所述第二侧墙之间第三侧墙； 形成所述第一轴心层结构后，去除所述辅助层； 去除所述第二轴心层，以在所述第二区上的所述复合层表面形成多个第二侧墙； 以所述第二侧墙为掩膜刻蚀所述复合层和所述基底，形成位于所述第二区上的多个相互分立的第二鳍部； 以所述第一轴心层结构为掩膜，刻蚀所述复合层和所述基底，形成初始第一鳍部； 在所述基底上形成第一介质材料层，所述第一介质材料层位于所述初始第一鳍部侧壁； 去除所述第一轴心层； 去除所述第一轴心层后，以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述初始第一鳍部，形成两个相互分立的第一鳍部，以及位于两个所述第一鳍部之间的第一开口，所述第一鳍部包括位于所述第一区上的第一底部结构、位于第一底部结构上的若干层重叠的第一牺牲层、以及位于相邻两层第一牺牲层之间的第一沟道层； 在所述第一开口内形成第一隔离结构； 形成所述第一隔离结构后，回刻蚀所述第一介质材料层，形成第二隔离结构，所述第二隔离结构的顶部表面低于所述第一鳍部顶部表面。

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