台湾积体电路制造股份有限公司林育樟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于纳米FET的离子注入获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110163514.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权用于纳米FET的离子注入是由林育樟;聂俊峰;张惠政;杨育佳设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于纳米FET的离子注入在说明书摘要公布了：本申请涉及用于纳米FET的离子注入。一种纳米FET晶体管，对于该纳米FET晶体管的一个或多个纳米片，该纳米FET晶体管在沟道区域的任一端处包括掺杂沟道结。沟道结通过迭代凹陷和注入工艺形成，该工艺在针对源极漏极区域制造凹陷时被执行。可以控制经注入的掺杂沟道结以实现掺杂沟道结的期望横向散布。
本发明授权用于纳米FET的离子注入在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一纳米结构，所述第一纳米结构在任一端处包括第一掺杂沟道结； 第二纳米结构，在所述第一纳米结构之上，所述第二纳米结构在任一端处包括第二掺杂沟道结； 栅极结构，设置在所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之上，所述栅极结构在所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间延伸；以及 源极漏极区域，与所述栅极结构相邻，所述源极漏极区域与所述第一纳米结构和所述第二纳米结构接触；以及 内部间隔件，设置在所述第一纳米结构的任一端处，所述内部间隔件在所述第一纳米结构和所述第二纳米结构之间延伸，所述内部间隔件介于所述栅极结构的栅极电介质和所述源极漏极区域之间，并且所述内部间隔件包括第一掺杂剂，所述第一掺杂剂的峰值浓度在所述内部间隔件和所述栅极电介质的界面处。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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