北京北方华创微电子装备有限公司闫晓腾获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺设备及其控压管路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111438602.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体工艺设备及其控压管路结构是由闫晓腾;杨帅;杨慧萍设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体工艺设备及其控压管路结构在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体工艺设备及其控压管路结构，所述控压管路结构包括排气管路和供气管路，其中：所述排气管路的一端与所述半导体工艺设备的排气通道连接，所述排气管路的另一端与厂务排气端连接，所述排气管路用于排出所述半导体工艺设备中的工艺气体；所述供气管路与稀释气体气源连接，所述供气管路的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述稀释气体进入所述排气管路的气流方向与所述排气管路内的所述工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0°，且小于90°。上述方案能够在有效稀释工艺气体的基础上，防止气体倒灌入工艺腔室。
本发明授权半导体工艺设备及其控压管路结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺设备的控压管路结构，其特征在于，所述控压管路结构包括排气管路和供气管路，其中： 所述排气管路的一端与所述半导体工艺设备的排气通道连接，所述排气管路的另一端与厂务排气端连接，所述排气管路用于排出所述半导体工艺设备中的工艺气体； 所述供气管路包括第一支管和第二支管，所述第一支管与稀释气体气源连接；所述第二支管的进气端连接所述第一支管，所述第二支管的出气端延伸至所述排气管路内，以向所述排气管路中通入稀释气体；所述稀释气体进入所述排气管路的气流方向与所述排气管路内的所述工艺气体的气流方向之间的夹角大于等于0°，且小于90°；所述排气管路和所述第一支管的流通面积均大于所述第二支管的流通面积，以使所述第一支管、所述第二支管和所述排气管路共同构建为文丘里管机构。
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