广东工业大学蔡宁获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种钙钛矿光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210738425.7，技术领域涉及：H10K85/10；该发明授权一种钙钛矿光电器件及其制备方法是由蔡宁;赵鑫;罗瑞希;梁智华;董一凡;霍延平设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钙钛矿光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钙钛矿光电器件及其制备方法和应用，属于光电技术领域。制备方法包括如下步骤：在透明电极上制备空穴传输层，在空穴传输层上制备界面层，在界面层上制备钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制备电子传输层，在电子传输层上制备空穴阻挡层，在空穴阻挡层上沉积电极材料。本发明中在空穴传输层上优先制备界面层，再制备钙钛矿光吸收层。界面层调控了钙钛矿晶粒生长，改善了晶粒的形貌，晶粒无针孔且晶界空隙明显减少，提升了钙钛矿的成膜质量；晶界的减少改善了载流子的复合，降低了光电损失；同时，界面层的引入提高了表面能，使得钙钛矿前驱液可以在界面层表面更好地铺展，从而实现了钙钛矿光电器件的大面积制备。
本发明授权一种钙钛矿光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿光电器件的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤： S1.在透明电极上制备空穴传输层； S2.制备界面层：配制界面层材料溶液，在S1中的空穴传输层上制备界面层； S3.制备钙钛矿光吸收层：在S2中的界面层上制备钙钛矿层； S4.制备电子传输层：在S3中的钙钛矿光吸收层上制备电子传输层； S5.制备空穴阻挡层：在S4中的电子传输层上制备空穴阻挡层； S6.制备金属背电极：在S5中的空穴阻挡层上沉积电极材料， 所述界面层材料为聚乙烯吡咯烷酮； 所述钙钛矿层由FAI，PbI2，MAI，MACl，CsI制得的钙钛矿前驱液制备得到； 所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为58000~220000。
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