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龙图腾网获悉杭州泽达半导体有限公司申请的专利半导体结构生成方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118315272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410400073.3，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构生成方法及半导体器件是由张扬伙;郭海侠;角谷昌纪设计研发完成，并于2024-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构生成方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构生成方法。本发明根据外延片结构和或待刻蚀目标结构图形密度的不同对外延片沿平面方向进行分区，利用实际测量和实验的方式确定各区域的目标刻蚀深度和刻蚀速率，并根据测量和实验结果在各区域待刻蚀基底层上分别制备不同厚度的补偿层，以对目标刻蚀深度较小和或刻蚀速率较大的区域进行刻蚀补偿，通过一次刻蚀即可得到高精度的各区域目标结构。本发明还公开了一种半导体器件。相比现有光刻—刻蚀—去胶多次循环的工艺，本发明方法的制程更简单，制造成本大幅降低。

本发明授权半导体结构生成方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构生成方法，用于在外延片表面的待刻蚀基底层中形成目标结构，所述外延片被沿平面方向分为多个区域，各区域下方的外延片具有不同结构和或目标结构投影在各区域的图案具有不同的图形密度；其特征在于，该方法包括以下步骤： 步骤1、根据目标结构为各区域分别制作光刻版并测量出各区域的目标刻蚀深度； 步骤2、在外延片各区域待刻蚀基底层表面分别制备不同厚度且可刻蚀清除的相应图案的补偿层；各区域的补偿层厚度预先通过以下方法确定：先通过刻蚀实验确定各区域的待刻蚀基底层刻蚀速率、补偿层刻蚀速率，然后根据各区域的待刻蚀基底层刻蚀速率计算出将各区域刻蚀至相应目标刻蚀深度所需的最大刻蚀时间，最后结合各区域的补偿层刻蚀速率计算出按照该最大刻蚀时间进行刻蚀时，各区域恰好刻蚀至目标刻蚀深度所各自需要设置的补偿层厚度；所述通过刻蚀实验确定各区域的待刻蚀基底层刻蚀速率、补偿层刻蚀速率的方法具体如下： 取至少一组所述外延片作为结构模拟片，在结构模拟片各区域待刻蚀基底层表面分别制备同一厚度的相应图案的补偿层，然后利用所述光刻版在各区域表面分别形成相应图案的刻蚀掩膜； 对所述结构模拟片进行第一阶段刻蚀，刻蚀至各区域的补偿层均被刻蚀掉一部分但均有剩余，通过对此时各区域补偿层的实际刻蚀深度进行测量并结合第一阶段刻蚀时间，计算出各区域的补偿层刻蚀速率； 接着进行第二阶段刻蚀，刻蚀至各区域的补偿层均被完全刻蚀掉且各区域的待刻蚀基底层被部分刻蚀； 最后进行第三阶段刻蚀，刻蚀至各区域的刻蚀深度均在待刻蚀基底层的上、下表面之间，通过对各区域的待刻蚀基底层在第三阶段的实际刻蚀深度进行测量并结合第三阶段刻蚀时间，计算出各区域的待刻蚀基底层刻蚀速率； 步骤3、利用所述光刻版在各区域表面分别形成相应图案的刻蚀掩膜；然后使用与所述刻蚀实验中相同的刻蚀工艺条件，按照所述最大刻蚀时间对外延片进行刻蚀；最后去除各区域的刻蚀掩膜。

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