中芯京城集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司南艳荣获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯京城集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利原位水蒸气生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223342871U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422644287.3，技术领域涉及：C30B33/02；该实用新型原位水蒸气生长装置是由南艳荣;程里;薛静龙设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本原位水蒸气生长装置在说明书摘要公布了：一种原位水蒸气生长装置，包括：反应腔，适宜于容纳待操作晶圆；加热器，适宜于对待操作晶圆进行热退火；主进气口，主进气口贯穿反应腔的侧壁；多个沟道进气口，沟道进气口的出气方向垂直待操作晶圆的表面，多个沟道进气口中，部分数量的沟道进气口围成内环，剩余数量的沟道进气口围成外环，外环围绕内环。当向外环的沟道进气口通入反应气体时，反应气体对待操作晶圆边缘区域进行气流补偿；当向内环的沟道进气口通入反应气体时，反应气体对待操作晶圆中心区域进行气流补偿。通过控制向外环的沟道进气口和内环的沟道进气口通入的反应气体的浓度和流量，调控晶圆边缘和晶圆中心的膜厚，提升晶圆膜厚均一性的同时降低晶圆翘曲变形的可能。
本实用新型原位水蒸气生长装置在权利要求书中公布了：1.一种原位水蒸气生长装置，其特征在于，包括： 反应腔，所述反应腔适宜于容纳待操作晶圆； 加热器，所述加热器适宜于对待操作晶圆进行热退火； 主进气口，所述主进气口贯穿所述反应腔的侧壁； 多个沟道进气口，所述沟道进气口的出气方向垂直所述待操作晶圆的表面，多个沟道进气口中，部分数量的沟道进气口围成内环，剩余数量的沟道进气口围成外环，所述外环围绕所述内环。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯京城集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区亦庄新城0606街区YZ00-0606-0001地块；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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