买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种半导体器件终端结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486223B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411525610.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件终端结构及其制备方法、半导体器件是由吴阳阳;郭飞;王宽;袁俊;成志杰;陈伟设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件终端结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件终端结构及其制备方法、半导体器件，属于半导体器件技术领域。该半导体器件终端结构在漂移层中部刻蚀出凹陷结构，在凹陷结构靠近主结区的侧壁和拐角处设置第一掺杂区以及在靠近切割道区的侧壁和拐角处设置第二掺杂区。在主结区的漂移层设置第三掺杂区。在凹陷结构的底部设置终端结构。在漂移层中设置有位置比终端结构高的埋层。在凹陷结构内部设置场板。通过使第一掺杂区和第二掺杂区均与终端结构直接相连，使第一掺杂区与第三掺杂区直接相连，配合场板和埋层的作用，使得半导体器件的终端结构具有防止主结提前被击穿、防止切割道区域被提前击穿、阻断阴极电势和阻断泄漏电流的作用。

本发明授权一种半导体器件终端结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件终端结构，其特征在于，包括衬底和位于所述衬底上的漂移层；所述漂移层的中部向所述衬底方向凹陷形成凹陷结构；所述凹陷结构具有第一侧壁和第二侧壁；所述第一侧壁上以及所述第一侧壁与所述凹陷结构的底部相连的拐角处设置有第一掺杂区；所述第二侧壁上以及所述第二侧壁与所述凹陷结构的底部相连的拐角处设置有第二掺杂区；所述凹陷结构周围的所述漂移层中设置有埋层；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均与所述埋层直接接触；在所述衬底到所述漂移层的方向上，所述埋层的高度高于所述凹陷结构底部的高度；所述凹陷结构内部填充有绝缘介质层；所述第一侧壁和所述第二侧壁的内侧均设置有场板；所述场板与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间均被所述绝缘介质层隔离开；所述凹陷结构底部设置有终端结构；所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均与所述终端结构直接接触，与所述第一掺杂区直接接触的所述终端结构为场限环，与所述第二掺杂区直接接触的所述终端结构为结终端扩展结构；在半导体器件主结区的所述漂移层的上层设置有第三掺杂区，沿所述衬底到所述漂移层的方向上，所述第三掺杂区的高度高于所述埋层的高度；所述第一掺杂区与所述第三掺杂区直接接触；所述衬底和所述漂移层的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区、所述埋层、所述终端结构的掺杂类型均为第二掺杂类型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。